公开(公告)号：CN102290368A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110161985.2

申请日：2011-06-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山口大五郎 ,  野田理崇

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  H01L21/02057 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 在半导体装置的制造方法中，在由硅或硅类化合物半导体形成的半导体衬底(1、10)中形成凹部(3、13)，使用洗涤液(5)将所述凹部(3、13)内存在的包括保护膜(4、14)在内的异物除去。所述洗涤液(5)含有添加有螯合剂的双氧水、碱性溶液和水的混合液。

公开(公告)号：CN102290368B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110161985.2

申请日：2011-06-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山口大五郎 ,  野田理崇

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  B81B2203/033 ,  B81C1/00849 ,  H01L21/02057 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 在半导体装置的制造方法中，在由硅或硅类化合物半导体形成的半导体衬底(1、10)中形成凹部(3、13)，使用洗涤液(5)将所述凹部(3、13)内存在的包括保护膜(4、14)在内的异物除去。所述洗涤液(5)含有添加有螯合剂的双氧水、碱性溶液和水的混合液。