公开(公告)号：CN110709965B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201880037037.8

申请日：2018-05-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田骏太郎 ,  神田明典 ,  吉冈彻雄 ,  长尾高成 ,  宫下耕一

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06 ,  H01L21/52

Abstract: 具备具有表面(20a)及背面(20b)的基板(20)、和粘贴于背面(20b)的膜(30)的半导体装置的制造方法，具备如下步骤：向背面(20b)粘贴膜(30)的步骤；将基板(20)与膜(30)一起从背面(20b)进行半切割而形成背面侧槽部(80)的步骤；在形成背面侧槽部(80)的步骤之后对膜(30)粘贴保护部件(90)的步骤；在粘贴保护部件(90)的步骤之后，从表面(20a)进行基板(20)的划片切割而形成与背面侧槽部(80)连结的表面侧槽部(110)的步骤。

公开(公告)号：CN110709965A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037037.8

申请日：2018-05-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田骏太郎 ,  神田明典 ,  吉冈彻雄 ,  长尾高成 ,  宫下耕一

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06 ,  H01L21/52

Abstract: 具备具有表面(20a)及背面(20b)的基板(20)、和粘贴于背面(20b)的膜(30)的半导体装置的制造方法，具备如下步骤：向背面(20b)粘贴膜(30)的步骤；将基板(20)与膜(30)一起从背面(20b)进行半切割而形成背面侧槽部(80)的步骤；在形成背面侧槽部(80)的步骤之后对膜(30)粘贴保护部件(90)的步骤；在粘贴保护部件(90)的步骤之后，从表面(20a)进行基板(20)的划片切割而形成与背面侧槽部(80)连结的表面侧槽部(110)的步骤。

公开(公告)号：CN108028197A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680056441.0

申请日：2016-09-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小川晃 ,  野田理崇 ,  吉冈彻雄 ,  清水悠平

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/84

Abstract: 一种进行在半导体层(11)的厚度方向上形成沟槽(20)的沟槽蚀刻、形成隔着沟槽而彼此的侧壁(16a，18a)相对置的第一图案部(16)及第二图案部(18)这两个图案部的半导体装置的制造方法，沟槽蚀刻中，在半导体层的表面形成保护膜(4)并且将半导体层蚀刻而除去，在沟槽蚀刻中，以做成使第一图案部和第二图案部成为相同电位或相同温度的构造的方式进行沟槽蚀刻。