半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN110709965A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201880037037.8

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 具备具有表面(20a)及背面(20b)的基板(20)、和粘贴于背面(20b)的膜(30)的半导体装置的制造方法,具备如下步骤:向背面(20b)粘贴膜(30)的步骤;将基板(20)与膜(30)一起从背面(20b)进行半切割而形成背面侧槽部(80)的步骤;在形成背面侧槽部(80)的步骤之后对膜(30)粘贴保护部件(90)的步骤;在粘贴保护部件(90)的步骤之后,从表面(20a)进行基板(20)的划片切割而形成与背面侧槽部(80)连结的表面侧槽部(110)的步骤。

    有机EL元件的制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100440578C

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN03136877.8

    申请日:2003-05-21

    Abstract: 在具备形成在阳极与阴极之间裹夹有机膜而成的有机EL元件的工序、在有机EL元件中进行在阳极与阴极之间施加电压的老化处理,使缺陷部开路破坏的老化工序的有机EL元件的制造方法中,通过测定在有机EL元件中施加了反偏置电压时流动的电流,求出了缺陷部的破坏电压及有机EL元件的破坏电压后,将这两个破坏电压之间的电压范围作为老化处理中的施加电压的范围,进行老化工序。由此,提供了一种可不对元件的正常部造成损伤,而使膜缺陷部预先适当地开路破坏的有机EL元件的制造方法。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN110709965B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN201880037037.8

    申请日:2018-05-24

    Abstract: 具备具有表面(20a)及背面(20b)的基板(20)、和粘贴于背面(20b)的膜(30)的半导体装置的制造方法,具备如下步骤:向背面(20b)粘贴膜(30)的步骤;将基板(20)与膜(30)一起从背面(20b)进行半切割而形成背面侧槽部(80)的步骤;在形成背面侧槽部(80)的步骤之后对膜(30)粘贴保护部件(90)的步骤;在粘贴保护部件(90)的步骤之后,从表面(20a)进行基板(20)的划片切割而形成与背面侧槽部(80)连结的表面侧槽部(110)的步骤。

    有机EL元件的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1510969A

    公开(公告)日:2004-07-07

    申请号:CN03136877.8

    申请日:2003-05-21

    CPC classification number: G09G3/006

    Abstract: 在具备形成在阳极与阴极之间裹夹有机膜而成的有机EL元件的工序、在有机EL元件中进行在阳极与阴极之间施加电压的老化处理,使缺陷部开路破坏的老化工序的有机EL元件的制造方法中,通过测定在有机EL元件中施加了反偏置电压时流动的电流,求出了缺陷部的破坏电压及有机EL元件的破坏电压后,将这两个破坏电压之间的电压范围作为老化处理中的施加电压的范围,进行老化工序。由此,提供了一种可不对元件的正常部造成损伤,而使膜缺陷部预先适当地开路破坏的有机EL元件的制造方法。

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