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公开(公告)号：CN1149665C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN96116770.X
申请日：1996-12-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供了一种半导体陶瓷，其冲击击穿电压很高，且几乎不层状开裂。在此具有正电阻-温度特性的半导体陶瓷中，如此设定一晶粒的晶粒内电阻与晶粒之间的晶粒间电阻(它们确定具有正电阻-温度特性半导体陶瓷电阻值)之比值，从而该晶粒内电阻小于半导体陶瓷电阻值的20%(不包括0%)。
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公开(公告)号：CN1142476A
公开(公告)日：1997-02-12
申请号：CN96106935.X
申请日：1996-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01L31/0264
Abstract: 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是：称量BaCO3、SrCO3、Pb3O4、CaCO3、TiO2、Er2O3、MnCO3和SiO2，使其形成(Ba0.0536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.04)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2的组成。经混合、脱水。干燥后，在1360℃假烧2小时，将所得的假烧粉末与黏合剂混合后，制成直径18mm、厚3.6mm的形成体，在1360℃烧成1小时，在表1所示的条件下冷却，从而获得半导体瓷器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101925968B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980103802.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种芯片型半导体陶瓷电子元器件，其具有：由半导体陶瓷形成的陶瓷胚体、形成于陶瓷胚体的两个端面上的第1外部电极、及以覆盖第1外部电极的表面及陶瓷胚体的一部分侧面的方式延伸的第2外部电极，且电阻值的偏差较小，热冲击引起的电阻变化较小，基板安装良好。其特征在于，将陶瓷胚体的转角部的曲率半径设为R(μm)，将第1外部电极层中与陶瓷胚体接触的层的自陶瓷胚体的端面起的最大厚度设为y(μm)，且将第2外部电极中与陶瓷胚体的侧面接触的层的自所述陶瓷胚体的转角部的顶点起的最小厚度设为x(μm)时，满足20≤R≤50，且0.5≤x≤1.1时，满足-0.4x+0.6≤y≤0.4，1.1≤x≤9.0时，满足-0.0076x+0.16836≤y≤0.4。
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公开(公告)号：CN101925968A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103802.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种芯片型半导体陶瓷电子元器件，其具有：由半导体陶瓷形成的陶瓷胚体、形成于陶瓷胚体的两个端面上的第1外部电极、及以覆盖第1外部电极的表面及陶瓷坯体的一部分侧面的方式延伸的第2外部电极，且电阻值的偏差较小，热冲击引起的电阻变化较小，基板安装良好。其特征在于，将陶瓷坯体的转角部的曲率半径设为R(μm)，将第1外部电极层中与陶瓷坯体接触的层的自陶瓷坯体的端面起的最大厚度设为y(μm)，且将第2外部电极中与陶瓷坯体的侧面接触的层的自所述陶瓷坯体的转角部的顶点起的最小厚度设为x(μm)时，满足20≤R≤50，且0.5≤x≤1.1时，满足-0.4x+0.6≤y≤0.4，1.1≤x≤9.0时，满足-0.0076x+0.16836≤y≤0.4。
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公开(公告)号：CN1065219C
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN96106935.X
申请日：1996-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01L31/0264 , H01B1/08 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是：称量BaCO3、SrCO3、Pb3O4、CaCO3、TiO2、Er2O3、MnCO3和SiO2，使其形成(Ba0.0536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.04)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2的组成。经混合、脱水。干燥后，在1360℃假烧2小时，将所得的假烧粉末与黏合剂混合后，制成直径18mm、厚3.6mm的形成体，在1360℃烧成1小时，在表1所示的条件下冷却，从而获得半导体瓷器。
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