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公开(公告)号：CN1065219C
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN96106935.X
申请日：1996-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01L31/0264 , H01B1/08 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是：称量BaCO3、SrCO3、Pb3O4、CaCO3、TiO2、Er2O3、MnCO3和SiO2，使其形成(Ba0.0536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.04)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2的组成。经混合、脱水。干燥后，在1360℃假烧2小时，将所得的假烧粉末与黏合剂混合后，制成直径18mm、厚3.6mm的形成体，在1360℃烧成1小时，在表1所示的条件下冷却，从而获得半导体瓷器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1149665C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN96116770.X
申请日：1996-12-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供了一种半导体陶瓷，其冲击击穿电压很高，且几乎不层状开裂。在此具有正电阻-温度特性的半导体陶瓷中，如此设定一晶粒的晶粒内电阻与晶粒之间的晶粒间电阻(它们确定具有正电阻-温度特性半导体陶瓷电阻值)之比值，从而该晶粒内电阻小于半导体陶瓷电阻值的20%(不包括0%)。
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公开(公告)号：CN1142476A
公开(公告)日：1997-02-12
申请号：CN96106935.X
申请日：1996-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01L31/0264
Abstract: 本发明提供一种即使施加以高电压也难以发生瓷器破坏、对冲击电流的破坏特性优良的半导体瓷器及其制造方法。该方法的步骤是：称量BaCO3、SrCO3、Pb3O4、CaCO3、TiO2、Er2O3、MnCO3和SiO2，使其形成(Ba0.0536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.04)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2的组成。经混合、脱水。干燥后，在1360℃假烧2小时，将所得的假烧粉末与黏合剂混合后，制成直径18mm、厚3.6mm的形成体，在1360℃烧成1小时，在表1所示的条件下冷却，从而获得半导体瓷器。
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公开(公告)号：CN1149589C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN99100601.1
申请日：1999-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/008 , H01C1/14 , H01C17/006 , Y10T29/49082
Abstract: 一种电阻元件具有一个带有形成于相对外端面上的第一外电极和第二外电极陶瓷体，以及多个在所述陶瓷体内的相对的内电极对。每个所述内电极对具有水平延伸的第一内电极和第二内电极，第二内电极具有一个与所述第一内电极相对并相隔特定的宽度的前端部分，所述多对内电极在垂直方向上形成层状。所述多对内电极中至少一对内电极的间隙与其它内电极对水平地偏移，但与其它内电极的间隙重叠。根据电阻元件的目标阻值，设定偏移距离。
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公开(公告)号：CN1226068A
公开(公告)日：1999-08-18
申请号：CN99100601.1
申请日：1999-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/008 , H01C1/14 , H01C17/006 , Y10T29/49082
Abstract: 一种电阻元件具有一个带有形成于相对外端面上的第一外电极和第二外电极陶瓷体,以及多个在所述陶瓷体内的相对的内电极对。每个所述内电极对具有水平延伸的第一内电极和第二内电极,第二内电极具有一个与所述第一内电极相对并相隔特定的宽度的前端部分,所述多对内电极在垂直方向上形成层状。所述多对内电极中至少一对内电极的间隙与其它内电极对水平地偏移,但与其它内电极的间隙重叠。根据电阻元件的目标阻值,设定偏移距离。
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