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公开(公告)号：CN1087720C
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN99103602.6
申请日：1999-03-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025
Abstract: 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷，它呈现优良的PTC特性，可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡：氧化硼，选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物；以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物；所掺入的氧化硼的数量，按硼原子计算，满足以下关系：0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数，β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。
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公开(公告)号：CN1228397A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：CN99103602.6
申请日：1999-03-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025
Abstract: 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷,它呈现优良的PTC特性,可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α－β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。
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公开(公告)号：CN1091436C
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN98120933.5
申请日：1998-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/96 , H01B1/08 , H01C7/043 , H01C7/045 , H01C17/06533
Abstract: 公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分，以及选自Fe和Al元素的至少一种氧化物和选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分。通过控制添加剂的用量，可以得到室温时的电阻率约为10Ω·cm至100Ω·cm的半导体陶瓷组合物。由于在保持常规组合物特性的同时，室温电阻率能够增至常规组合物电阻率的数倍或更高，因此本发明的组合物可以广泛应用于控制强电流。
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公开(公告)号：CN1087719C
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN98121320.0
申请日：1998-10-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01L21/00
CPC classification number: B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C04B35/4682
Abstract: 本发明提供了钛酸钡半导体陶瓷，它具有在室温下较低的电阻率和较高的耐压，能完全满足提高耐压的要求。钛酸钡半导体陶瓷的平均陶瓷颗粒尺寸控制至大约0.9μm或更小。通过这样的控制，陶瓷具有在室温下较低的电阻率和较高的耐压，完全满足目前提高耐压的要求，它可以适于诸如控制温度和限制电流的应用，或用于恒温发热装置。相应地，钛酸钡半导体陶瓷使得使用它的设备具有提高的性能和减小的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1149665C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN96116770.X
申请日：1996-12-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供了一种半导体陶瓷，其冲击击穿电压很高，且几乎不层状开裂。在此具有正电阻-温度特性的半导体陶瓷中，如此设定一晶粒的晶粒内电阻与晶粒之间的晶粒间电阻(它们确定具有正电阻-温度特性半导体陶瓷电阻值)之比值，从而该晶粒内电阻小于半导体陶瓷电阻值的20%(不包括0%)。
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公开(公告)号：CN1397958A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02106671.X
申请日：1998-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/96 , H01B1/08 , H01C7/043 , H01C7/045 , H01C17/06533
Abstract: 公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。
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公开(公告)号：CN1172324C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02106671.X
申请日：1998-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/96 , H01B1/08 , H01C7/043 , H01C7/045 , H01C17/06533
Abstract: 公开了一种具有负电阻-温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。
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公开(公告)号：CN1215036A
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：CN98120933.5
申请日：1998-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/96 , H01B1/08 , H01C7/043 , H01C7/045 , H01C17/06533
Abstract: 公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物,该组合物包括氧化钴镧作为主组分,以及选自Fe和Al元素的至少一种氧化物和选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分。通过控制添加剂的用量,可以得到室温时的电阻率约为10Ω·cm至100Ω·cm的半导体陶瓷组合物。由于在保持常规组合物特性的同时,室温电阻率能够增至常规组合物电阻率的数倍或更高,因此本发明的组合物可以广泛应用于控制强电流。
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公开(公告)号：CN1214328A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN98121320.0
申请日：1998-10-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/46
CPC classification number: B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C04B35/4682
Abstract: 本发明提供了钛酸钡半导体陶瓷,它具有在室温下较低的电阻率和较高的耐压,能完全满足提高耐压的要求。钛酸钡半导体陶瓷的平均陶瓷颗粒尺寸控制至大约0.9μm或更小。通过这样的控制,陶瓷具有在室温下较低的电阻率和较高的耐压,完全满足目前提高耐压的要求,它可以适于诸如控制温度和限制电流的应用,或用于恒温发热装置。相应地,钛酸钡半导体陶瓷使得使用它的设备具有提高的性能和减小的尺寸。
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