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公开(公告)号：CN101694794B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200910211561.5
申请日：2003-08-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/10 , H01C7/112 , C04B35/453
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3244 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/6025 , H01C7/044 , H01C7/112 , H01C17/06546
Abstract: 一种能在低电压下运行，具有小的泄漏电流并能达到高ESD电阻和浪涌电阻的变阻器。由用于变阻器的陶瓷组合物形成所述变阻器，所述陶瓷组合物包含：作为主组分的ZnO；和次组分，包括总量为0.05-3.0原子％镨、0.5-10原子％钴、总含量为0.005-0.5原子％的钾、钠和锂中至少一种、总含量为2×10-5-0.5原子％的铝、镓和铟中至少一种和0.005-5.0原子％的锆。
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公开(公告)号：CN1228397A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：CN99103602.6
申请日：1999-03-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025
Abstract: 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷,它呈现优良的PTC特性,可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α－β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。
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公开(公告)号：CN102224119A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147310.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/87 , Y10T428/256
Abstract: 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN1397958A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02106671.X
申请日：1998-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/96 , H01B1/08 , H01C7/043 , H01C7/045 , H01C17/06533
Abstract: 公开了一种具有负电阻－温度特性的半导体陶瓷组合物，该组合物包括氧化钴镧作为主组分；选自Si、Zr、Hf、Ta、Sn、Sb、W、Mo、Te、Ce、Nb、Mn、Th和P元素的至少一种氧化物作为副组分；以及B的氧化物。该组合物的烧结密度高，由其制得的半导体陶瓷元件可用于防止骤增电流、用于延迟电动机启动，或者用于与温度补偿的晶体振荡器一起使用或用于温度补偿。
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公开(公告)号：CN102471164A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029535.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3258 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , H01C17/06533
Abstract: 本发明提供具有稳定的PTC特性、2倍点高、使用温度范围宽的半导体陶瓷以及正特性热敏电阻。本发明的半导体陶瓷以具有用通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3系组合物为主成分，100摩尔％Ti中，0.05摩尔％以上0.3摩尔％以下的范围内的Ti被作为半导体化剂的W置换，主要由Ba占据的A位置与主要由Ti占据的B位置之比m为0.99≤m≤1.002，实测烧结密度为理论烧结密度的70％以上90％以下。正特性热敏电阻，其零件主体部用该半导体陶瓷形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102245537A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149781.8
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/46 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79
Abstract: 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分被Na、Bi、Ca以及离子半径比所述Na小的稀土元素取代，同时将所述构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时，所述稀土元素的含量以摩尔比换算计为0.0005～0.015，并且将所述构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时，所述Ca的含量以摩尔比换算计为0.05～0.20(优选为0.125以上且0.175以下)。正特性热敏电阻，部件基体(1)用该半导体陶瓷形成。由此即使含有碱金属元素，也具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN1093106C
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN98121544.0
申请日：1998-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了一种半导体陶瓷，其常数B在升高温度下保持在约4000K或更高以减少电能损耗，常数B在低温下降至低于4000K以避免电阻不必要的增加；以及使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件。所述半导体陶瓷由氧化钴镧作为主组分，至少一种Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的氧化物作为次要组分形成。所述半导体陶瓷元件是用该半导体陶瓷和形成于其上的电极来制造。
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公开(公告)号：CN1087720C
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN99103602.6
申请日：1999-03-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01B3/12 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/025
Abstract: 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷，它呈现优良的PTC特性，可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡：氧化硼，选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物；以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物；所掺入的氧化硼的数量，按硼原子计算，满足以下关系：0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数，β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。
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公开(公告)号：CN102224119B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200980147310.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/87 , Y10T428/256
Abstract: 本发明的半导体陶瓷以用一般式AmBO3来表示的具有钙钛矿型构造的BamTiO3系组成物为主成分，按照A位和B位的摩尔比m成为1.001≤m≤1.01的方式来进行配制，并且，用Li以及Na内的至少一种元素、Bi、Ca、以及稀土类元素来置换构成A位的Ba的一部分，且，在设构成上述A位的元素的总摩尔数为1摩尔时，上述Ca的含有量换算为摩尔比是0.05～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻的部件基体(1)用该半导体陶瓷来形成。由此，能制作出实质不含铅的非铅系的半导体陶瓷，同时保持希望的PTC特性，并具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN102245536A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149760.6
申请日：2009-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/638 , C04B35/4682 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3225 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6584 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2235/9661 , H01C7/025 , Y10T428/252
Abstract: 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分至少被碱金属元素、Bi以及稀土元素取代，并且A位与B位的摩尔比m为0.990≤m≤0.999(优选0.990≤m≤0.995)。另外，Ba的一部分用Ca取代，并且将构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时的上述Ca的含量，以摩尔比换算为0.042～0.20(优选0.125～0.175)。PTC热敏电阻，部件基体(1)由该半导体陶瓷形成。由此，即使含有碱金属元素，也得到良好的上升特性。
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