-
-
公开(公告)号：CN1149665C
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN96116770.X
申请日：1996-12-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供了一种半导体陶瓷，其冲击击穿电压很高，且几乎不层状开裂。在此具有正电阻-温度特性的半导体陶瓷中，如此设定一晶粒的晶粒内电阻与晶粒之间的晶粒间电阻(它们确定具有正电阻-温度特性半导体陶瓷电阻值)之比值，从而该晶粒内电阻小于半导体陶瓷电阻值的20%(不包括0%)。
-
公开(公告)号：CN1215897A
公开(公告)日：1999-05-05
申请号：CN98120480.5
申请日：1998-10-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C7/18 , H01C1/1406 , H01C7/02
Abstract: 一种盘形主体的PTC热敏电阻在相互分开面对着的主表面上的电极,使得在两电极间加电压后的初期,主体侧表面在沿主表面法线方向的电极之间有不对称的温度分布。发热峰值区不在沿厚度方向的电极间中间位置,这样提高了热敏电阻的抗脉冲强度。它可以通过采用不同尺寸的电极或使主体的特定电阻分布不均匀使发热峰值区离开主体两个主表面间的中心区域作到这一点。
-
公开(公告)号：CN1087096C
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN97111440.4
申请日：1997-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种正向温度特性热敏电阻器元件，它包括：具有正向温度特性的平面型陶瓷部件，所述陶瓷部件包含主表面，所述主表面上带有包围中央部分的边缘部分，所述陶瓷部件在边缘的厚度大于中央的厚度，既可渐渐减小也可呈阶梯状方式减小，以及位于所述主表面上的电极，上层电极的表面积小于底层电极，底层电极主要是Ni，上层电极主要是Ag。
-
公开(公告)号：CN1237949A
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：CN97199782.9
申请日：1997-11-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/46
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4684
Abstract: 本发明提供了通过提高耐涌流特性，可使热敏电阻元件小型化的钛酸钡系半导体瓷器组合物。钛酸钡系半导体瓷器组合物的主成分BaTiO3中一部分Ba被1～25摩尔%的Ca、1～30摩尔%的Sr和1～50摩尔%的Pb取代；对应于100摩尔%主成分，添加了0.2～1.0摩尔%半导体化试剂；作为添加剂的锰换算成Mn的添加量为0.01～0.10摩尔%，硅石换算成SiO2的添加量为0.5～5摩尔%，镁换算成Mg的添加量为0.0028～0.093摩尔%。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1171603A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN97111440.4
申请日：1997-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种正向温度特性热敏电阻元件,它包括:具有正向温度特性的平面型陶瓷部件,所述陶瓷部件包含主表面,所述主表面上带有包围中央部分的边缘部分,所述陶瓷部件在边缘的厚度大于中央的厚度,既可渐渐减小也可呈阶梯状方式减小,以及位于所述主表面上的电极,上层电极的表面积小于底层电极,底层电极主要是Ni,上层电极主要是Ag。
-
公开(公告)号：CN102459127B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080024406.3
申请日：2010-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3262 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/6565
Abstract: 本发明提供布温度传感器用途的PCT热敏电阻中能够使用的、具有包括线性特性在内、作为PTC热敏电阻有利的特性的钛酸钡系半导体瓷器组合物以及钛酸钡系半导体瓷器元件。所述钛酸钡系半导体瓷器组合物，其特征在于，由通式(Ba(1-v-w)MevSrw)TixO3+ySiO2(其中，Me为选自Er、Sm、Ce、La中的至少一种)表示，并且v、w、x、y分别在0.001≤v≤0.005、0.42≤w≤0.49、0.99≤x≤1.03、0.002≤y≤0.030的范围内。
-
公开(公告)号：CN103906722A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280053002.6
申请日：2012-08-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01C7/02
CPC classification number: H01C7/008 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , H01C7/021 , H01C7/025 , H01C7/18
Abstract: 本发明提供一种室温附近的比电阻低且耐电压高的、具有正电阻温度特性的钛酸钡系陶瓷及使用其的PTC热敏电阻。该钛酸钡系陶瓷是以通式BaTiO3表示且具有正电阻温度特性的钛酸钡系半导体陶瓷，其中，将部分Ti位以Zr置换，且将Zr的含有比率设为0.14～0.88mol％的范围。所述钛酸钡系半导体陶瓷设为含有选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种稀土元素的组成。使用上述钛酸钡系半导体陶瓷作为具有正电阻温度特性的热敏电阻基体而构成PTC热敏电阻。
-
公开(公告)号：CN104428847B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201380036109.4
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02 , C04B35/468
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/468 , C04B2235/3224 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , H01C1/012 , H01C7/008 , H01C7/021
Abstract: 层叠型PTC热敏电阻元件包括：陶瓷基体，其包含多个陶瓷层；多个内部电极，其形成于陶瓷基体内；及外部电极，其与内部电极电性导通，且形成于陶瓷基体的表面上。陶瓷基体的平均瓷器粒径为0.3[μm]以上、1.2[μm]以下。另外，陶瓷基体的相对密度的下限值为70[％]，且若将平均瓷器粒径设为d，则其上限值为‑6.43d+97.83[％]。
-
公开(公告)号：CN104428847A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036109.4
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02 , C04B35/468
CPC classification number: H01C7/025 , C04B35/468 , C04B2235/3224 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , H01C1/012 , H01C7/008 , H01C7/021
Abstract: 层叠型PTC热敏电阻元件包括：陶瓷基体，其包含多个陶瓷层；多个内部电极，其形成于陶瓷基体内；及外部电极，其与内部电极电性导通，且形成于陶瓷基体的表面上。陶瓷基体的平均瓷器粒径为0.3[μm]以上、1.2[μm]以下。另外，陶瓷基体的相对密度的下限值为70[％]，且若将平均瓷器粒径设为d，则其上限值为-6.43d+97.83[％]。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.01 seconds)
