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公开(公告)号：CN1171244C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN01122782.6
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01B3/12 , C04B35/462 , H01C7/02 , H04N9/29
CPC classification number: H01C7/025
Abstract: 一种半导体陶瓷。其中包括铒，它在主要成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介，半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm，但不到约14μm。此外，在每100mol的主要成份中，半导体陶瓷包含：一种作为添加物的含有Er的化合物，其中Er超过约0.15mol但不到约0.33mol；一种含有Mn的化合物，其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol；一种含有Si的化合物，其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此，该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性，在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。
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公开(公告)号：CN1334568A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01122782.6
申请日：2001-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01B3/12 , C04B35/462 , H01C7/02 , H04N9/29
CPC classification number: H01C7/025
Abstract: 一种半导体陶瓷。其中包括铒,它在主要成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介,半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm,但不到约14μm。此外,在每100mol的主要成份中,半导体陶瓷包含:一种作为添加物的含有Er的化合物,其中Er超过约0.10mol但不到约0.33mol;一种含有Mn的化合物,其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol;一种含有Si的化合物,其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此,该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性,在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101593586A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910203567.8
申请日：2009-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种在通电中可能因电子组配元件劣化而导致破坏的电子组件，即使在破坏后的电子组配元件成为近于粉碎的碎片的情况下，也能够自动中断破坏后的通电。该电子组件具备电子组配元件、包含由弹簧接触片和支柱构件构成的第一及第二端子构件而支撑电子组配元件的支撑装置、以及用来收纳电子组配元件和第一及第二端子构件的外壳；第一及第二支柱构件被分别设置在由电气绝缘构件构成的第一及第二收纳部内，另外，包含第一及第二弹簧接触片的与外壳底面相对侧的边缘部中的与外壳的底面的距离长的一方的、假定的外壳的假想断面与外壳的底面之间形成的空间的体积，大于电子组配元件的体积。
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公开(公告)号：CN101593586B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910203567.8
申请日：2009-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种在通电中可能因电子组配元件劣化而导致破坏的电子组件，即使在破坏后的电子组配元件成为近于粉碎的碎片的情况下，也能够自动中断破坏后的通电。该电子组件具备电子组配元件、包含由弹簧接触片和支柱构件构成的第一及第二端子构件而支撑电子组配元件的支撑装置、以及用来收纳电子组配元件和第一及第二端子构件的外壳；第一及第二支柱构件被分别设置在由电气绝缘构件构成的第一及第二收纳部内，另外，包含第一及第二弹簧接触片的与外壳底面相对侧的边缘部中的与外壳的底面的距离长的一方的、假定的外壳的假想断面与外壳的底面之间形成的空间的体积，大于电子组配元件的体积。
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公开(公告)号：CN1087096C
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN97111440.4
申请日：1997-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种正向温度特性热敏电阻器元件，它包括：具有正向温度特性的平面型陶瓷部件，所述陶瓷部件包含主表面，所述主表面上带有包围中央部分的边缘部分，所述陶瓷部件在边缘的厚度大于中央的厚度，既可渐渐减小也可呈阶梯状方式减小，以及位于所述主表面上的电极，上层电极的表面积小于底层电极，底层电极主要是Ni，上层电极主要是Ag。
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公开(公告)号：CN1171603A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN97111440.4
申请日：1997-05-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01C7/02
CPC classification number: H01C1/1406 , H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种正向温度特性热敏电阻元件,它包括:具有正向温度特性的平面型陶瓷部件,所述陶瓷部件包含主表面,所述主表面上带有包围中央部分的边缘部分,所述陶瓷部件在边缘的厚度大于中央的厚度,既可渐渐减小也可呈阶梯状方式减小,以及位于所述主表面上的电极,上层电极的表面积小于底层电极,底层电极主要是Ni,上层电极主要是Ag。
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