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公开(公告)号：CN1965457A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018425.4
申请日：2005-05-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 设置遮断流过电池单元(31)的放电电流的第一开关元件(34a)和遮断充电电流的第二开关元件(34b)，在保护控制电路(33)的栅极控制端子(Dout)、(Cout)和开关元件(34a)、(34b)的至少一方的栅极之间插入正特性热敏电阻(Rcpb)，在其开关元件的栅极与源极之间连接电阻(R1b)。正特性热敏电阻(Rcpb)与第一/第二开关元件(34a)、(34b)或电池单元(31)热结合。由此在开关元件(34a)、(34b)或电池单元(31)的异常过热状态下通过正特性热敏电阻(Rcpb)的电阻值上升而开关元件(34b)成为遮断状态，进行保护功能。
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公开(公告)号：CN1487642A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155039.8
申请日：2003-08-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 池田丰
IPC: H02H5/04
CPC classification number: H02H5/042
Abstract: 一种半导体开关元件，它进行从电源到负载的电流路径的操作，实现导通状态和中断该路径的操作，而且是通过操作方式控制电路来控制的，以至于在其工作在第一种操作方式中时，当温度检测部分的温度增加而且达到预定中断温度时，从导通操作转变到中断操作，以及在第二种操作方式中，当温度检测部分的温度减小并且达到低于预定值的中断温度的返回温度时，中断操作转变到导通操作。每种操作方式是在两个正温度系数热敏电阻热耦合连接到温度检测部分的情况下受到控制的。
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公开(公告)号：CN1965457B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200580018425.4
申请日：2005-05-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 设置遮断流过电池单元(31)的放电电流的第一开关元件(34a)和遮断充电电流的第二开关元件(34b)，在保护控制电路(33)的栅极控制端子(Dout)、(Cout)和开关元件(34a)、(34b)的至少一方的栅极之间插入正特性热敏电阻(Rcpb)，在其开关元件的栅极与源极之间连接电阻(R1b)。正特性热敏电阻(Rcpb)与第一/第二开关元件(34a)、(34b)或电池单元(31)热结合。由此在开关元件(34a)、(34b)或电池单元(31)的异常过热状态下通过正特性热敏电阻(Rcpb)的电阻值上升而开关元件(34b)成为遮断状态，进行保护功能。
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公开(公告)号：CN1321489C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN03155039.8
申请日：2003-08-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 池田丰
IPC: H02H5/04
CPC classification number: H02H5/042
Abstract: 一种半导体开关元件，它进行从电源到负载的电流路径的操作，实现导通状态和中断该路径的操作，而且是通过操作方式控制电路来控制的，以至于在其工作在第一种操作方式中时，当温度检测部分的温度增加而且达到预定中断温度时，从导通操作转变到中断操作，以及在第二种操作方式中，当温度检测部分的温度减小并且达到低于预定值的中断温度的返回温度时，中断操作转变到导通操作。每种操作方式是在两个正温度系数热敏电阻热耦合连接到温度检测部分的情况下受到控制的。
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公开(公告)号：CN101568977B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200880001195.4
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 池田丰
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明提供一种PTC装置，该PTC装置可降低因异常过电流而熔断的截面积减少部的容许电流。该PTC装置具有：彼此相对的一对端子板20、22；及多个PTC元件11，该多个PTC元件11沿一对端子板20、22排成一列，并夹持于一对端子板20、22之间，且在电气上并联连接于一对端子板20、22之间。一对端子板20、22的引出端部20b、22b分别与电源连接。一对端子板20、22在相邻的至少1组PTC元件11之间，形成有截面积局部较小的截面积减少部20d、22d。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101593586A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910203567.8
申请日：2009-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种在通电中可能因电子组配元件劣化而导致破坏的电子组件，即使在破坏后的电子组配元件成为近于粉碎的碎片的情况下，也能够自动中断破坏后的通电。该电子组件具备电子组配元件、包含由弹簧接触片和支柱构件构成的第一及第二端子构件而支撑电子组配元件的支撑装置、以及用来收纳电子组配元件和第一及第二端子构件的外壳；第一及第二支柱构件被分别设置在由电气绝缘构件构成的第一及第二收纳部内，另外，包含第一及第二弹簧接触片的与外壳底面相对侧的边缘部中的与外壳的底面的距离长的一方的、假定的外壳的假想断面与外壳的底面之间形成的空间的体积，大于电子组配元件的体积。
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公开(公告)号：CN101593586B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910203567.8
申请日：2009-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种在通电中可能因电子组配元件劣化而导致破坏的电子组件，即使在破坏后的电子组配元件成为近于粉碎的碎片的情况下，也能够自动中断破坏后的通电。该电子组件具备电子组配元件、包含由弹簧接触片和支柱构件构成的第一及第二端子构件而支撑电子组配元件的支撑装置、以及用来收纳电子组配元件和第一及第二端子构件的外壳；第一及第二支柱构件被分别设置在由电气绝缘构件构成的第一及第二收纳部内，另外，包含第一及第二弹簧接触片的与外壳底面相对侧的边缘部中的与外壳的底面的距离长的一方的、假定的外壳的假想断面与外壳的底面之间形成的空间的体积，大于电子组配元件的体积。
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公开(公告)号：CN1164163A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97102538.X
申请日：1997-02-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 池田丰
IPC: H04N5/44
Abstract: 一种去磁电路，它包括：去磁线圈；控制所述去磁电流的PTC控制热敏电阻；以及在正常温度下闭合而在规定温度以上打开的热敏开关；所述PTC热敏电阻、热敏开关以及去磁丝圈串联在一起；所述热敏开关与所述PTC和NTC热敏电阻热耦合；以及所述PTC热敏电阻发射的热量能够使所述热敏开关打开，而NTC热敏电阻的热量能够在所述电源开关闭合后维持所述热敏开关处于打开状态。
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