公开(公告)号：CN1237949A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN97199782.9

申请日：1997-11-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柿原佐斗志 ,  广田俊春 ,  并河康训 ,  山元敬之

IPC: C04B35/46

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/4684

Abstract: 本发明提供了通过提高耐涌流特性，可使热敏电阻元件小型化的钛酸钡系半导体瓷器组合物。钛酸钡系半导体瓷器组合物的主成分BaTiO3中一部分Ba被1～25摩尔%的Ca、1～30摩尔%的Sr和1～50摩尔%的Pb取代；对应于100摩尔%主成分，添加了0.2～1.0摩尔%半导体化试剂；作为添加剂的锰换算成Mn的添加量为0.01～0.10摩尔%，硅石换算成SiO2的添加量为0.5～5摩尔%，镁换算成Mg的添加量为0.0028～0.093摩尔%。

公开(公告)号：CN1477653A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03133051.7

申请日：2003-07-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柿原佐斗志 ,  石井武彦 ,  流田贤治 ,  川濑政彦 ,  藤田聪

IPC: H01C7/04

CPC classification number: H05B3/12 ,  H05B2203/019

Abstract: 一种负特性热敏电阻及其制造方法，该负特性热敏电阻是一种将过渡金属氧化物作为主成分、并具有内部电极的负特性热敏电阻，在内部电极形成材料中含有Cu或Cu的化合物。最好在内部电极形成材料及外部电极形成材料中含有Cu或Cu的化合物。而且，通过控制烧制时的温度曲线、炉内氧浓度、及冷却条件，而对扩散至上述热敏电极基体的上述内部电极附近的Cu的量进行调节。这种具有内部电极的负特性热敏电阻，可实现更低电阻化、且可防止电镀时的镀膜生长。并且该负特性热敏电阻的制造方法与现行相比可在大范围内进行电阻值的调整和B常数的调整。

公开(公告)号：CN1311482C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN03133051.7

申请日：2003-07-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柿原佐斗志 ,  石井武彦 ,  流田贤治 ,  川濑政彦 ,  藤田聪

IPC: H01C17/00 ,  H01C7/04

CPC classification number: H05B3/12 ,  H05B2203/019

Abstract: 一种负特性热敏电阻及其制造方法，该负特性热敏电阻是一种将过渡金属氧化物作为主成分、并具有内部电极的负特性热敏电阻，在内部电极形成材料中含有Cu或Cu的化合物。最好在内部电极形成材料及外部电极形成材料中含有Cu或Cu的化合物。而且，通过控制烧制时的温度曲线、炉内氧浓度、及冷却条件，而对扩散至上述热敏电极基体的上述内部电极附近的Cu的量进行调节。这种具有内部电极的负特性热敏电阻，可实现更低电阻化、且可防止电镀时的镀膜生长。并且该负特性热敏电阻的制造方法与现行相比可在大范围内进行电阻值的调整和B常数的调整。

公开(公告)号：CN1089735C

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN97199782.9

申请日：1997-11-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 柿原佐斗志 ,  广田俊春 ,  并河康训 ,  山元敬之

IPC: C04B35/46 ,  H01L23/15

CPC classification number: H01C7/025 ,  C04B35/4684

Abstract: 本发明提供了通过提高耐涌流特性，可使热敏电阻元件小型化的钛酸钡系半导体瓷器组合物。钛酸钡系半导体瓷器组合物的主成分BaTiO3中一部分Ba被1～25摩尔%的Ca、1～30摩尔%的Sr和1～50摩尔%的Pb取代；对应于100摩尔%主成分，添加了0.2～1.0摩尔%半导体化试剂；作为添加剂的锰换算成Mn的添加量为0.01～0.10摩尔%，硅石换算成SiO2的添加量为0.5～5摩尔%，镁换算成Mg的添加量为0.0028～0.093摩尔%；前述半导体化试剂为选自Y、La、Ce、Nb、Bi、Sb、W、Th、Ta、Dy、Gd、Nd、Sm的至少一种元素。