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公开(公告)号：CN117280608A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280031670.2
申请日：2022-02-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种不易产生特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：第1层(11)，包含支承基板(2)；第2层(12)，设置在第1层(11)上，包含压电膜(3)；和激励电极(4)，设置在第2层(12)上，在第1层(11)与第2层(12)之间设置有空洞部(7)，在第1层(11)和第2层(12)的层叠方向上，激励电极(4)的至少一部分与空洞部(7)重叠，面向空洞部(7)的第1层(11)的主面(6a)的表面粗糙度与面向空洞部(7)的第2层(12)的主面(6b)的表面粗糙度不同。
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公开(公告)号：CN113169724A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080668.2
申请日：2019-12-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够使谐振特性提高的弹性波装置。弹性波装置(1)具备支承基板、声反射层(3)、压电体层(4)以及IDT电极(5)。在声反射层(3)中，高声阻抗层(31)以及低声阻抗层中的至少一个为导电层。在将由IDT电极(5)的电极指间距(P1)决定的弹性波的波长设为λ，将多个第1电极指(53)的前端的包络线(L1)与多个第2电极指(54)的前端的包络线(L2)之间的区域设为交叉区域(55)时，在从支承基板的厚度方向的俯视下，导电层(高声阻抗层31)至少与交叉区域(55)重复，在多个第1电极指(53)延伸的方向上从多个第1电极指(53)的前端到导电层的端部(高声阻抗层31的端部31A)为止距离(d1)大于0且为12λ以下。
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公开(公告)号：CN111149293B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201880062735.3
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 大村正志
IPC: H03H9/25
Abstract: 抑制衰减量的下降。弹性波滤波器装置(1)具备基板、第1声阻抗层(4A)、第2声阻抗层(4B)、压电体层(5)、第1IDT电极(7A)、第2IDT电极(7B)、输入端子(15)、输出端子(16)、多个接地端子(17、18)、串联臂电路(12)及并联臂电路(13、14)。第1IDT电极(7A)在俯视下至少一部分与第1声阻抗层(4A)相重叠。第2IDT电极(7B)在俯视下至少一部分与第2声阻抗层(4B)相重叠。串联臂电路(12)设置在将输入端子(15)和输出端子(16)连结的第1路径上，具有第1IDT电极(7A)及第2IDT电极(7B)。第1声阻抗层(4A)中的导电层和第2声阻抗层(4B)中的导电层被电绝缘。
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公开(公告)号：CN116438739A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180071572.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种弹性波装置，能够抑制在电介质膜产生裂纹及压电体层粘贴于电介质膜。弹性波装置(10)具备支承基板(12)、电介质膜(13)、压电层(14)和IDT电极(15)(激励电极)。压电层(14)具有第1、第2主面(14a、14b)。第2主面(14b)位于电介质膜(13)侧。在电介质膜(13)设置有空洞部(11a)。空洞部(11a)在俯视下与IDT电极(15)的至少一部分重叠。电介质膜(13)具有面向空洞部(11a)的侧壁面(13a)。侧壁面(13a)具有倾斜为越远离压电层(14)则空洞部(11a)的宽度变得越窄的倾斜部(13c)。倾斜部(13c)至少包括侧壁面(13c)中的压电层(14)侧的端部。在将倾斜部(13c)和压电层(14)的第2主面(14b)所成的角度设为倾斜角度α时，倾斜角度α为40°以上且80°以下。
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公开(公告)号：CN111149295B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201880062801.7
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 大村正志
Abstract: 在抑制特性劣化的同时谋求小型化。弹性波装置(1)具有第1声阻抗层(31)以及第2声阻抗层(32、33)、IDT电极(5)和电极(61、62)。IDT电极(5)的至少一部分与第1声阻抗层(31)相重叠。电极(61、62)的至少一部分与第2声阻抗层(32、33)相重叠。在第1声阻抗层(31)以及第2声阻抗层(32、33)各自中，高声阻抗层或低声阻抗层为导电层。由第2声阻抗层(32、33)的导电层和电极(61、62)形成了电容器(71、72)。第1声阻抗层(31)中的导电层与第2声阻抗层(32、33)中的导电层电绝缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109314503B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201780034713.1
申请日：2017-04-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种耐湿性优异的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，具备：支承基板(2)，在上表面设置有凹部(2c)；压电薄膜(4)，在支承基板(2)上设置为覆盖支承基板(2)的凹部(2c)；IDT电极(5)，在压电薄膜(4)设置于支承基板(2)侧的主面(4a)上；以及中间层(8)，在压电薄膜(4)设置于与支承基板(2)相反侧的主面(4b)上，构成有被支承基板(2)和压电薄膜(4)包围的空间(9)，IDT电极(5)配置为面向空间(9)，在压电薄膜(4)以及中间层(8)设置有从中间层(8)的与压电薄膜(4)相反侧的主面(8B)到达空间(9)的贯通孔(11、12)，在中间层(8)上还具备设置为覆盖贯通孔(11、12)的开口端的覆盖构件(19)。
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公开(公告)号：CN109314503A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034713.1
申请日：2017-04-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种耐湿性优异的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，具备：支承基板(2)，在上表面设置有凹部(2c)；压电薄膜(4)，在支承基板(2)上设置为覆盖支承基板(2)的凹部(2c)；IDT电极(5)，在压电薄膜(4)设置于支承基板(2)侧的主面(4a)上；以及中间层(8)，在压电薄膜(4)设置于与支承基板(2)相反侧的主面(4b)上，构成有被支承基板(2)和压电薄膜(4)包围的空间(9)，IDT电极(5)配置为面向空间(9)，在压电薄膜(4)以及中间层(8)设置有从中间层(8)的与压电薄膜(4)相反侧的主面(8B)到达空间(9)的贯通孔(11、12)，在中间层(8)上还具备设置为覆盖贯通孔(11、12)的开口端的覆盖构件(19)。
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公开(公告)号：CN107078713A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580049196.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 大村正志
CPC classification number: H03H9/25 , H03H3/08 , H03H9/02125 , H03H9/02228 , H03H9/02952 , H03H9/14502 , H03H9/568 , H03H9/6483
Abstract: 本发明提供一种能够减小布线间的电容且难以产生寄生电容等所引起的特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)在支承基板(24)上层叠压电基板(5)，在压电基板(5)上设置有IDT电极(21)。在压电基板(5)上设置有多个布线部(16b，13)。在至少一个布线部(16b，13)的下方以及布线部间的区域的下方当中的至少一方，在支承基板(24)设置有第1空腔部(31)。
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公开(公告)号：CN111149294B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201880062758.4
申请日：2018-09-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 大村正志
Abstract: 在抑制频率特性的下降的同时进一步提高耐电力性。第1IDT电极(7A)以及第2IDT电极(7B)通过相互共有的公共汇流条(70)而相互串联连接。关于第1声阻抗层(4A)以及第2声阻抗层(4B)各自，至少一个高声阻抗层(41)以及至少一个低声阻抗层的至少一个为导电层。第1声阻抗层(4A)中的导电层的至少一部分和第2声阻抗层(4B)中的导电层的至少一部分在从压电体层(5)的厚度方向的俯视下不与公共汇流条(70)重复。第1声阻抗层(4A)中的导电层和第2声阻抗层(4B)中的导电层被电绝缘。
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公开(公告)号：CN115136332A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180014365.8
申请日：2021-02-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/09
Abstract: 从与一个主面正交的方向观察，凹部(113)的外形为多边形或者圆形。若将构成上述多边形的多个边的数量设为n个，将由长度(L1)与上述多个边中的最短边相同的上述n个边构成的假想正多边形的外接圆(C)的半径设为r，将在层叠部中位于凹部(113)上的膜片部的最大厚度设为d，则在3≤n≤7的情况下，满足r≤197.7dn‑0.6698，在8≤n或者凹部(113)的外形为圆形的情况下，满足r≤52.69d。
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