公开(公告)号：CN1162837A

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN97102082.5

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中西秀文 ,  桜井敦 ,  小林真人 ,  吉野幸夫

IPC: H01L21/00

Abstract: 通过采用双离子溅射装置在由非晶材料组成的玻璃衬底上形成铝薄膜。与此同时采用离子束照射方法辅助薄膜形成于玻璃衬底上，通过将离子束照射到铝靶上形成铝薄膜。

公开(公告)号：CN114731151A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080078560.2

申请日：2020-11-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 井上和则 ,  大塚慎太郎 ,  川崎幸一郎 ,  中西秀文 ,  新雅和 ,  福岛正宏 ,  丰田泰之

IPC: H03H9/25 ,  H01L23/02 ,  H03H3/08

Abstract: 电子部件(100)具备基板(110)、形成在基板上的功能元件(120)、第1电极(150)、绝缘体的支承体(160)、覆盖部(190)、第2电极(170)、以及突起部(180)。第1电极(150)配置在基板上，并与功能元件(120)连接。支承体(160)覆盖第1电极(150)，并从基板(110)突出。覆盖部(190)与基板(110)对置地配置，由基板(110)、支承体(160)以及覆盖部(190)形成中空空间(155)。第2电极(170)配置在形成于支承体(160)以及覆盖部(190)的贯通孔，并与第1电极(150)电连接。突起部(180)在上述的贯通孔中形成在第1电极(150)上。

公开(公告)号：CN1317875A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01104546.9

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中西秀文 ,  桜井敦 ,  小林真人 ,  吉野幸夫

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供一种用于表面声波器件的薄膜电极及其制造方法。薄膜电极包括：在压电衬底上形成的非晶层；以及在所述非晶层上形成的单晶层和取向层中至少一种。薄膜电极的方法包括以下步骤：在压电衬底表面形成非晶层，与此同时用辅助离子束照射压电衬底表面；以及用辅助离子束照射非晶层表面以在所述非晶层表面形成单晶层和取向层中至少一种。

公开(公告)号：CN114731152A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080079207.6

申请日：2020-11-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 井上和则 ,  大塚慎太郎 ,  川崎幸一郎 ,  中西秀文 ,  新雅和 ,  福岛正宏

IPC: H03H9/25

Abstract: 电子部件(100)具备基板(110)、形成在基板(110)上的功能元件(120)、支承体(140)、覆盖部(150)和对覆盖部(150)进行覆盖的保护层(160)。支承体(140)在基板(110)上配置于形成了功能元件(120)的区域的周围。覆盖部(150)与基板(110)对置地配置并被支承体(140)支承。通过基板(110)、支承体(140)及覆盖部(150)形成中空空间(190)。功能元件(120)形成在中空空间(190)的内部。若将支承体(140)中与基板(110)侧的面相反的面设为第1面(141)，则保护层(160)的一部分不隔着覆盖部(150)地与支承体(140)的第1面(141)相接。