公开(公告)号：CN1162837A

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN97102082.5

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中西秀文 ,  桜井敦 ,  小林真人 ,  吉野幸夫

IPC: H01L21/00

Abstract: 通过采用双离子溅射装置在由非晶材料组成的玻璃衬底上形成铝薄膜。与此同时采用离子束照射方法辅助薄膜形成于玻璃衬底上，通过将离子束照射到铝靶上形成铝薄膜。

公开(公告)号：CN1317875A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01104546.9

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中西秀文 ,  桜井敦 ,  小林真人 ,  吉野幸夫

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供一种用于表面声波器件的薄膜电极及其制造方法。薄膜电极包括：在压电衬底上形成的非晶层；以及在所述非晶层上形成的单晶层和取向层中至少一种。薄膜电极的方法包括以下步骤：在压电衬底表面形成非晶层，与此同时用辅助离子束照射压电衬底表面；以及用辅助离子束照射非晶层表面以在所述非晶层表面形成单晶层和取向层中至少一种。