公开(公告)号：CN1162837A

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN97102082.5

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中西秀文 ,  桜井敦 ,  小林真人 ,  吉野幸夫

IPC: H01L21/00

Abstract: 通过采用双离子溅射装置在由非晶材料组成的玻璃衬底上形成铝薄膜。与此同时采用离子束照射方法辅助薄膜形成于玻璃衬底上，通过将离子束照射到铝靶上形成铝薄膜。

公开(公告)号：CN114402448A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064776.3

申请日：2020-07-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 铃木胜之 ,  池内伸介 ,  黑川文弥 ,  岸本谕卓 ,  山田一 ,  小林真人

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/29

Abstract: 压电元件(100)包括压电体层(110)、第1电极层(120)、第2电极层(130)以及连接电极(140)。第2电极层(130)至少局部隔着压电体层(110)而与第1电极层(120)相对。第2电极层(130)具有连接面(131)。连接面(131)在第2电极层(130)中的不与第1电极层(120)相对的区域中面向贯通孔(113)。连接电极(140)设于连接面(131)上。连接面(131)与第2电极层(130)的压电体层(110)侧的面中的连接面(131)以外的部分的位置的差为5nm以下。

公开(公告)号：CN114402447A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064677.5

申请日：2020-05-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 池内伸介 ,  小林真人 ,  铃木胜之 ,  黑川文弥 ,  岸本谕卓 ,  山田一

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/053 ,  H01L41/187 ,  H01L41/29 ,  H01L41/313 ,  H01L41/332 ,  H01L41/337

Abstract: 压电元件(100)包括压电体层(110)、第1电极层(120)以及第2电极层(130)。压电体层(110)具有第1面(111)和第2面(112)。第2面(112)位于与第1面(111)相反的那一侧。第1电极层(120)设于第1面(111)上。第2电极层(130)设于第2面(112)上。第2电极层(130)至少局部隔着压电体层(110)而与第1电极层(120)相对。第2电极层(130)含有硅作为主要成分。压电体层(110)由单晶形成。

公开(公告)号：CN1215933A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98121543.2

申请日：1998-10-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 后藤义彦 ,  小林真人 ,  田中克彦

IPC: H01P7/10

CPC classification number: H01P3/18 ,  H01P3/081

Abstract: 一种多层薄膜电极,包括:电介质基板;设置在电介质基板背面的接地导体;以及交替地层叠在电介质基板正面的多层薄膜导电层和介质层。接地导体、薄膜导电层中与电介质基板接触的一层和介于二者之间的电介质基板形成TEM模主传输线;另外的每一薄膜介质层与把该薄膜介质层夹在当中的一对薄膜导电层形成TEM模副传输线。每一薄膜介质层的厚度和介电常数设定为使通过TEM模主传输线和TEM模副传输线传播的波的相速度基本上相互相等。每一薄膜导电层的厚度设定为一预定值,该值小于预定工作频率下的趋肤深度,使得TEM模主传输线及其相邻TEM模副传输线之间以及第一对相邻TEM模副传输线之间的电磁场相互耦合。至少薄膜介质层中最靠近所述电介质基板的一层的厚度大于其它薄膜介质层的厚度。

公开(公告)号：CN1130793C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98121543.2

申请日：1998-10-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 后藤义彦 ,  小林真人 ,  田中克彦

IPC: H01P3/18 ,  H01P3/08 ,  H01P7/08 ,  H01P7/10 ,  H01L27/01

CPC classification number: H01P3/18 ,  H01P3/081

Abstract: 一种多层薄膜电极，包括：电介质基板；设置在电介质基板背面的接地导体；以及交替地层叠在电介质基板正面的多层薄膜导电层和介质层。接地导体、薄膜导电层中与电介质基板接触的一层和介于二者之间的电介质基板形成TEM模主传输线；另外的每一薄膜介质层与把该薄膜介质层夹在当中的一对薄膜导电层形成TEM模副传输线。每一薄膜介质层的厚度和介电常数设定为使通过TEM模主传输线和TEM模副传输线传播的波的相速度基本上相互相等。每一薄膜导电层的厚度设定为一预定值，该值小于预定工作频率下的趋肤深度，使得TEM模主传输线及其相邻TEM模副传输线之间以及每一对相邻TEM模副传输线之间的电磁场相互耦合。至少薄膜介质层中最靠近所述电介质基板的一层的厚度大于其它薄膜介质层的厚度。

公开(公告)号：CN1317875A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01104546.9

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中西秀文 ,  桜井敦 ,  小林真人 ,  吉野幸夫

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供一种用于表面声波器件的薄膜电极及其制造方法。薄膜电极包括：在压电衬底上形成的非晶层；以及在所述非晶层上形成的单晶层和取向层中至少一种。薄膜电极的方法包括以下步骤：在压电衬底表面形成非晶层，与此同时用辅助离子束照射压电衬底表面；以及用辅助离子束照射非晶层表面以在所述非晶层表面形成单晶层和取向层中至少一种。