公开(公告)号：CN105374662B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510412194.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  和田优一 ,  石坂光范 ,  平野光浩 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  高野智 ,  竹林基成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。

公开(公告)号：CN1943019A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011707.1

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 板谷秀治 ,  堀井贞义 ,  野内英博

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明的衬底处理装置既可以在成膜时使衬底上的压力为一定、又可以在净化时高效率地去除反应气体。衬底(8)在处理室(1)内通过基座(保持件)(3)被保持。衬底的周围设置有平板(2)。平板被基座(3)支承。气体供给口(19、20)设置在衬底的侧方、较平板(2)更位于上方，从平板的更上方的空间(34)对衬底供给气体。在平板的至少与衬底(8)相比的上游侧和下游侧设置排出口(11)，将气体向平板的更下方的空间(33)排出。将对处理室(1)进行排气的排气口(16)与排出口连通，在隔着衬底(8)与气体供给口(19、20)相反一侧、设置在平板(2)的下方。排出口(11)的传导构成为在气流的上游侧(11A)大于下游侧(11B)。

公开(公告)号：CN107924840A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580082519.1

申请日：2015-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 立野秀人 ,  原大介 ,  奥野正久 ,  定田拓也 ,  塚本刚史 ,  田中昭典 ,  角田彻 ,  堀井贞义

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4481 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67757

Abstract: 提供衬底处理装置，具有：收容衬底的处理室；气化器，其将液体原料气化从而生成反应气体并将其与载气一起作为处理气体送出，气化器具备气化容器、液体原料导入部、载气导入部、和加热液体原料的加热器；载气供给控制部，其控制载气的供给量；液体原料供给控制部，其控制液体原料的供给量；处理气体供给管，其将处理气体导入处理室内；处理气体温度传感器，其对从气化器被送出至处理气体供给管内的处理气体的温度进行检测，及控制部，其基于由处理气体温度传感器检测到的处理气体的温度，调节加热器的温度。由此，即便在低温条件下，也能够抑制处理装置内的处理气体的液滴化、雾化等，提高在由处理气体处理的衬底上形成的膜的品质。

公开(公告)号：CN100447962C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200580001225.8

申请日：2005-01-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐野敦 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  浅井优幸

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应(4)中，在衬底(30)上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理的步骤，在上述成膜步骤中，至少分2个阶段改变硅浓度进行成膜。

公开(公告)号：CN101010447A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029573.6

申请日：2005-10-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 板谷秀治 ,  野内英博 ,  堀井贞义 ,  佐野敦

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。

公开(公告)号：CN1879203A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200580001225.8

申请日：2005-01-21

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐野敦 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  浅井优幸

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种能够制造可以容易地控制包含金属原子和硅原子的膜中的氮浓度分布的高品质半导体装置的半导体装置制造方法及衬底处理装置。该制造方法包括以下步骤：在反应室4中，在衬底30上成膜包含金属原子和硅原子的膜的步骤；和对上述膜实施氮化处理的步骤，在上述成膜步骤中，至少分2个阶段改变硅浓度进行成膜。

公开(公告)号：CN105374662A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510412194.0

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 稻田哲明 ,  和田优一 ,  石坂光范 ,  平野光浩 ,  堀井贞义 ,  板谷秀治 ,  高野智 ,  竹林基成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67011

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法。本发明提供能对衬底均匀地供给高暴露量的气体、并且能以高生产量进行处理的技术。在处理室内被划分为形成第一处理气体气氛的第一处理区域和形成第二处理气体气氛的第二处理区域的衬底处理装置中，在其中的至少一个区域内，设置有：具有形成为管线状的开口部并向区域内进行气体供给的管线状气体供给部、和在开口部的周围从处理室的顶面朝向衬底侧突出的空隙保持部件。

公开(公告)号：CN101010447B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200580029573.6

申请日：2005-10-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 板谷秀治 ,  野内英博 ,  堀井贞义 ,  佐野敦

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 一种基板处理装置，通过减小接触气体面积来抑制粒子的产生，通过减小流路容积提高净化效率。其具有用于对基板(2)进行处理的处理室(1)；被设置在处理室(1)侧面、将基板(2)相对于处理室(1)内搬入搬出的基板搬送口(10)；被可升降地设置在处理室(1)内、对基板(2)进行保持的保持机构；与保持机构相比被设置在上方，向处理室(1)内供给气体的供给口(3、4)；被设置在保持机构的周围、排出被供给到处理室内的气体的排气通道(35)；与在基板处理时的排气通道的上面相比被设置在下方，用于将由排气通道排出的气体向处理室外排出的排气口(5)，其中构成排气通道(35)的部件的至少一部分被构成为可以升降。

公开(公告)号：CN100419971C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200580011707.1

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 板谷秀治 ,  堀井贞义 ,  野内英博

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45546 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明的衬底处理装置既可以在成膜时使衬底上的压力为一定、又可以在净化时高效率地去除反应气体。衬底(8)在处理室(1)内通过基座(保持件)(3)被保持。衬底的周围设置有平板(2)。平板被基座(3)支承。气体供给口(19、20)设置在衬底的侧方、较平板(2)更位于上方，从平板的更上方的空间(34)对衬底供给气体。在平板的至少与衬底(8)相比的上游侧和下游侧设置排出口(11)，将气体向平板的更下方的空间(33)排出。将对处理室(1)进行排气的排气口(16)与排出口连通，在隔着衬底(8)与气体供给口(19、20)相反一侧、设置在平板(2)的下方。排出口(11)的传导构成为在气流的上游侧(11A)大于下游侧(11B)。