公开(公告)号：CN101916591B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010003815.7

申请日：2001-02-08

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 石桥孝一郎 ,  山冈雅直 ,  宿利章二 ,  柳泽一正 ,  西本顺一 ,  青木正和

IPC分类号： G11C16/08

摘要： 本发明涉及具有多层布线和铜布线的半导体集成电路器件，降低缺陷挽救和调整的成本。利用第1层多晶硅作为浮置栅极的非易失性存储元件，存储用于挽救半导体中存储单元阵列缺陷的地址等。或者，在半导体集成电路器件的测试中对上述非易失性存储元件进行编程。形成非易失性存储元件，却不需要特别的工艺。就是，可用CMOS器件的形成工艺，形成非易失性存储元件。并且，在测试中进行编程，因而不需要用于编程的激光器等装置，能够缩短程编程上需要的时间，因而可以降低测试成本。

公开(公告)号：CN1112732C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN97110214.7

申请日：1994-08-19

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

摘要： 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1398002A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02122083.2

申请日：1994-08-19

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  陈田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/772

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

摘要： 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1101755A

公开(公告)日：1995-04-19

申请号：CN94109104.X

申请日：1994-08-19

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

摘要： 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1052344C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN94109104.X

申请日：1994-08-19

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

摘要： 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据。栅极－沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1173043A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN97110214.7

申请日：1994-08-19

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

摘要： 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN101916591A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010003815.7

申请日：2001-02-08

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 石桥孝一郎 ,  山冈雅直 ,  宿利章二 ,  柳泽一正 ,  西本顺一 ,  青木正和

IPC分类号： G11C16/08

摘要： 本发明涉及具有多层布线和铜布线的半导体集成电路器件，降低缺陷挽救和调整的成本。利用第1层多晶硅作为浮置栅极的非易失性存储元件，存储用于挽救半导体中存储单元阵列缺陷的地址等。或者，在半导体集成电路器件的测试中对上述非易失性存储元件进行编程。形成非易失性存储元件，却不需要特别的工艺。就是，可用CMOS器件的形成工艺，形成非易失性存储元件。并且，在测试中进行编程，因而不需要用于编程的激光器等装置，能够缩短程编程上需要的时间，因而可以降低测试成本。

公开(公告)号：CN100590739C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN01804803.X

申请日：2001-02-08

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 石桥孝一郎 ,  山冈雅直 ,  宿利章二 ,  柳泽一正 ,  西本顺一 ,  青木正和

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C29/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

摘要： 关于具有多层布线和铜布线的半导体集成电路器件，降低缺陷挽救和调整的成本。利用第1层多晶硅作为浮置栅极的非易失性存储元件，存储用于挽救半导体中存储单元阵列缺陷的地址等。或者，在半导体集成电路器件的测试中对上述非易失性存储元件进行编程。形成非易失性存储元件，却不需要特别的工艺。就是，可用CMOS器件的形成工艺，形成非易失性存储元件。并且，在测试中进行编程，因而不需要用于编程的激光器等装置，能够缩短程编程上需要的时间，因而可以降低测试成本。

公开(公告)号：CN1047249C

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN94119568.6

申请日：1994-12-21

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 竹内干 ,  堀口真志 ,  青木正和 ,  松野胜己 ,  阪田健 ,  卫藤润

IPC分类号： G11C11/22

摘要： 涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和DRAM进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由1个晶体管和1个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即DRAM进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。

公开(公告)号：CN1112716A

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN94119568.6

申请日：1994-12-21

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 竹内干 ,  堀口真志 ,  青木正和 ,  松野胜己 ,  阪田健 ,  卫藤润

IPC分类号： G11C11/22

摘要： 涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和DRAM进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由1个晶体管和1个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即DRAM进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。