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公开(公告)号：CN101276878A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810088314.6
申请日：2008-03-27
CPC classification number: G11B5/3906 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/39 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01L43/08 , Y10S977/943
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：固定磁化层，其磁化被实质地固定在一个方向上；自由磁化层，其磁化根据外部磁场转动，并被形成于所述固定磁化层的相对面；分隔层，包括具有绝缘层和在所述绝缘层的厚度方向上通过电流的导体的电流限制层，并位于所述固定磁化层和所述自由磁化层之间；薄膜层，相对于所述自由磁化层位于所述分隔层的相对侧；及功能层，含有从Si、Mg、B、Al组成的组中选择的至少一种元素，并形成于所述固定磁化层、所述自由磁化层和所述薄膜层中至少一个层之中或之上。
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公开(公告)号：CN101101959B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710128678.8
申请日：2007-07-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3983 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/398 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的具有隔层的CCP结构的磁阻效应元件的制造方法中，该隔层形成时，形成第一金属层，在该第一金属层上形成可变换为该绝缘层的第二金属层，进行第一氧化或氮化处理，将该第二金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的该金属层，在通过该第一变换处理所形成的该绝缘层和该金属层上形成可变换为该绝缘层的第三金属层，进行第二氧化或氮化处理，将该第三金属层变换为该绝缘层，并且形成贯通该绝缘层的金属层。
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公开(公告)号：CN100382353C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410083163.7
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F41/32 , H01F41/325 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层、磁化自由层、设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的非磁性金属层、电阻增加层、自旋过滤层和一对电极。电阻增加层包括绝缘部分并且被设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中。自旋过滤层设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度。磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间。磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层设置在电极之间。
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公开(公告)号：CN101101958A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127879.6
申请日：2007-07-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/39 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明其目的在于提供一种可应用于高密度存储的磁存储装置、可设法提高可靠性的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上固定于一方向的磁化固定层；磁化方向与外部磁场相对应而变化的磁化自由层；以及设置于所述磁化固定层和所述磁化自由层两者间、包含绝缘层和贯通所述绝缘层的金属层的隔层，对所述磁化固定层、构成所述隔层的所述第一金属层、所述第二金属层、所述第二金属层变换为所述绝缘层之后的绝缘层、以及所述第三非磁性金属层的至少一部位照射离子或等离子，来增强各层间的密接性。
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公开(公告)号：CN100347748C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410094160.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/39 , G11C11/16 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F41/325
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器。该磁致电阻效应元件可控制晶体取向性和晶粒粒径，可实现高的磁致电阻变化量。该一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度≥2nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047229A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710089699.3
申请日：2007-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/398 , G11B5/455 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 磁阻效应元件包括磁化固定层、分隔层和磁化自由层，该磁化固定层含有第一晶粒，并具有基本固定在一个方向上的磁化方向；该分隔层配置在磁化固定层上并且含有绝缘层和贯通绝缘层的金属导体；该磁化自由层含有第二晶粒，并配置在分隔层上与金属导体相对，并且具有对应外部磁场改变的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1323386C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410058625.X
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/324 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，具有彼此分离的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层分别具有方向基本上被钉扎的磁化，和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层，该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径，非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分，该部分为感应区。
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公开(公告)号：CN1953061A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610137368.8
申请日：2006-10-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C8/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C8/34 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , C23C28/3455 , C23C28/42 , G11B5/3163 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3268 , H01F41/305
Abstract: 一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包括：磁化方向实质上被固定在一个方向的磁化固定层；磁化方向相对外部磁场发生变化的磁化自由层；间隔层，该间隔层包含设在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间的绝缘层和贯通所述绝缘层的电流通道，其特征在于，在形成所述间隔层时，使形成所述电流通道的第1非磁性金属层成膜，将变换为所述绝缘层的第2金属层在所述第1非磁性金属层上成膜，第1氧化工序的氧化气体分压小于等于第2氧化工序的氧化气体分压的1/10，依次进行2个阶段的氧化工序，在所述第1氧化工序中对所述第2金属层照射稀有气体的离子束或RF等离子。采用本方法，可以制造具有合适的面积电阻RA和高的MR变化率的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN1167310A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：CN97110841.2
申请日：1997-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的旋转阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在2nm以下的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和强磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和强磁性体层之间的界面上设有平均厚度在2nm以下的原子扩散势垒层。
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公开(公告)号：CN103017795B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210225044.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0771 , G01L9/0042 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 根据一个实施例，应变和压力检测器件包括半导体电路单元和检测单元。所述半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。所述晶体管设置在半导体衬底上。所述检测单元设置在所述半导体电路单元上，并且具有空间部分和非空间部分。所述非空间部分与所述空间部分并列。所述检测单元进一步包括活动梁、应变检测元件单元、以及第一和第二埋置互连部。所述活动梁具有固定部分和活动部分，并且包括第一和第二互连层。所述固定部分被固定到所述非空间部分。所述活动部分与所述晶体管分开并从所述固定部分延伸到所述空间部分中。所述应变检测元件单元被固定到所述活动部分。所述第一和第二埋置互连部设置在所述非空间部分中。
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