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公开(公告)号：CN100388358C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510091449.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件具有磁性被钉扎层、磁性自由层、和包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径的间隔层。该方法中形成间隔层的步骤包括：沉积形成金属路径的第一金属层、沉积第二金属层以转变为第一金属层上的绝缘层、执行用稀有气体的离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理、以及通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。
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公开(公告)号：CN101154706A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710142716.5
申请日：2007-08-16
CPC classification number: G11B5/398 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3983 , G11C11/161 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/305 , H01L43/08
Abstract: 一种磁致电阻效应元件包括：其磁化是基本上固定在一个方向上的第一磁化层；其磁化是依外部磁场旋转的第二磁化层；包含绝缘部分和磁性金属部分并被配置于所述第一磁化层和第二磁化层之间的中间层；和一对使电流沿着垂直于由所述第一磁化层、所述中间层和所述第二磁化层构成的多层薄膜的薄膜表面的方向流过的电极；其中所述中间层的所述磁性金属部分包含非铁磁金属。
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公开(公告)号：CN100343899C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510053078.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/325
Abstract: 磁电阻元件具有磁化受钉扎层、包括非磁性金属层、增加电阻层和另一个非磁性金属层叠层的非磁性间隔层、具有fcc晶体结构的磁化自由层、具有fcc、hcp或bcc晶体结构并且具有比磁化自由层更大的最近邻原子之间原子间距的磁化自由层，以及一对电极，提供所述电极从而在基本上垂直于磁化受钉扎层、非磁性间隔层、磁化自由层和盖层的平面的方向上供应检测电流。
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公开(公告)号：CN1577495A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058625.X
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/324 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，具有彼此分离的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层分别具有方向基本上被钉扎的磁化，和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层，该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径，非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分，该部分为感应区。
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公开(公告)号：CN101105945A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136876.9
申请日：2007-07-11
CPC classification number: G11B5/3929 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3163 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：磁阻效应膜，包括：磁化固定层，该层具有其磁化方向被特定地固定在一个方向上的第一铁磁性薄膜；磁化自由层，该层具有其磁化方向随外磁场变化的第二铁磁性膜；以及间隔层，该层设置在磁化固定层和磁化自由层之间，具有绝缘层和渗入绝缘层的铁磁性金属部分；一对电极，以与磁阻效应膜的膜面相垂直的方向上施加感应电流；以及一层包含非铁磁性元素的层，该层设置在磁化固定层内部和磁化自由层内部中的至少一个上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1746980A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510091449.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件具有磁性被钉扎层、磁性自由层、和包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径的间隔层。该方法中形成间隔层的步骤包括：沉积形成金属路径的第一金属层、沉积第二金属层以转变为第一金属层上的绝缘层、执行用稀有气体的离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理、以及通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。
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公开(公告)号：CN100382353C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410083163.7
申请日：2004-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F41/32 , H01F41/325 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应元件，包括：磁化被钉扎层、磁化自由层、设置在磁化被钉扎层和磁化自由层之间的非磁性金属层、电阻增加层、自旋过滤层和一对电极。电阻增加层包括绝缘部分并且被设置在磁化被钉扎层、磁化自由层和非磁性金属层至少之一中。自旋过滤层设置成与磁化自由层相邻并且具有5nm到20nm范围的厚度。磁化自由层设置在自旋过滤层和非磁性金属层之间。磁化被钉扎层、磁化自由层、非磁性金属层、电阻增加层和自旋过滤层设置在电极之间。
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公开(公告)号：CN100347748C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410094160.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/39 , G11C11/16 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F41/325
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器。该磁致电阻效应元件可控制晶体取向性和晶粒粒径，可实现高的磁致电阻变化量。该一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度≥2nm。
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公开(公告)号：CN1323386C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200410058625.X
申请日：2004-07-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/324 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , H01F10/3259 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，具有彼此分离的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层分别具有方向基本上被钉扎的磁化，和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层，该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径，非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分，该部分为感应区。
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公开(公告)号：CN1311300C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03121474.6
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/00
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174
Abstract: 一种电荷束曝光装置，该电荷束曝光装置具备电荷束发射器、照明光学系统、单元孔阑、第1偏转器、缩小投影光学系统、第2偏转器；上述电荷束发射器以下述加速电压发射上述电荷束，该电压指低于接近效果所产生的电压的加速电压；上述缩小投影光学系统包括象差补偿器，该象差补偿器具有N层(N为2或以上的自然数)的M极子透镜(M为4或以上的偶数)，为了减小在上述电荷束的基板上成像的位置的空间电荷效应导致的模糊，沿分别与上述光轴相垂直的(M/2)方向相互独立地对通过上述照明光学系统，使上述射束直径增加的场合所产生的开口象差和色象差中的至少任何一个象差进行补偿。
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