公开(公告)号：CN101105945A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710136876.9

申请日：2007-07-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  TDK株式会社

Inventor： 福家广美 ,  桥本进 ,  高岸雅幸 ,  岩崎仁志 ,  佐桥政司 ,  土井正晶 ,  三宅耕作

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11B5/3929 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：磁阻效应膜，包括：磁化固定层，该层具有其磁化方向被特定地固定在一个方向上的第一铁磁性薄膜；磁化自由层，该层具有其磁化方向随外磁场变化的第二铁磁性膜；以及间隔层，该层设置在磁化固定层和磁化自由层之间，具有绝缘层和渗入绝缘层的铁磁性金属部分；一对电极，以与磁阻效应膜的膜面相垂直的方向上施加感应电流；以及一层包含非铁磁性元素的层，该层设置在磁化固定层内部和磁化自由层内部中的至少一个上。