-
公开(公告)号：CN101105945A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136876.9
申请日：2007-07-11
CPC classification number: G11B5/3929 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3163 , G11B2005/3996 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应元件，包括：磁阻效应膜，包括：磁化固定层，该层具有其磁化方向被特定地固定在一个方向上的第一铁磁性薄膜；磁化自由层，该层具有其磁化方向随外磁场变化的第二铁磁性膜；以及间隔层，该层设置在磁化固定层和磁化自由层之间，具有绝缘层和渗入绝缘层的铁磁性金属部分；一对电极，以与磁阻效应膜的膜面相垂直的方向上施加感应电流；以及一层包含非铁磁性元素的层，该层设置在磁化固定层内部和磁化自由层内部中的至少一个上。
-
公开(公告)号：CN1590580A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410071615.X
申请日：1997-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F41/183 , H01F41/302 , H01L43/12 , Y10S428/90 , Y10T428/1121 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at％的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100336934C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410071615.X
申请日：1997-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F41/183 , H01F41/302 , H01L43/12 , Y10S428/90 , Y10T428/1121 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at%的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
-
公开(公告)号：CN1674094A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510053078.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/325
Abstract: 磁电阻元件具有磁化受钉扎层、包括非磁性金属层、增加电阻层和另一个非磁性金属层叠层的非磁性间隔层、具有fcc晶体结构的磁化自由层、具有fcc、hcp或bcc晶体结构并且具有比磁化自由层更大的最近邻原子之间原子间距的磁化自由层，以及一对电极，提供所述电极从而在基本上垂直于磁化受钉扎层、非磁性间隔层、磁化自由层和盖层的平面的方向上供应检测电流。
-
公开(公告)号：CN1106635C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN97111667.9
申请日：1997-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3916 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中，软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件：∑(Ms×d×Hk)＞30〔T nm Oe〕，并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造，从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。
-
公开(公告)号：CN1182262A
公开(公告)日：1998-05-20
申请号：CN97111667.9
申请日：1997-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3916 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3281 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 在本发明的含有例如Co的强磁性层和由软性磁层和层叠膜构成的磁性层的磁阻效应元件中,软磁性层的磁化Mk(T)、膜厚d(nm)和各方异性磁场Hk(Oe)满足以下条件:∑(Ms×d×Hk)>30[TnmOe],并通过使含有Co的强磁性层和软磁性层具有不同的易磁化轴方向的构造,从而提供一种高灵敏度和低噪声的磁阻效应元件。
-
公开(公告)号：CN100343899C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510053078.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/325
Abstract: 磁电阻元件具有磁化受钉扎层、包括非磁性金属层、增加电阻层和另一个非磁性金属层叠层的非磁性间隔层、具有fcc晶体结构的磁化自由层、具有fcc、hcp或bcc晶体结构并且具有比磁化自由层更大的最近邻原子之间原子间距的磁化自由层，以及一对电极，提供所述电极从而在基本上垂直于磁化受钉扎层、非磁性间隔层、磁化自由层和盖层的平面的方向上供应检测电流。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.024 seconds)
