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公开(公告)号：CN1311300C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03121474.6
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/00
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174
Abstract: 一种电荷束曝光装置，该电荷束曝光装置具备电荷束发射器、照明光学系统、单元孔阑、第1偏转器、缩小投影光学系统、第2偏转器；上述电荷束发射器以下述加速电压发射上述电荷束，该电压指低于接近效果所产生的电压的加速电压；上述缩小投影光学系统包括象差补偿器，该象差补偿器具有N层(N为2或以上的自然数)的M极子透镜(M为4或以上的偶数)，为了减小在上述电荷束的基板上成像的位置的空间电荷效应导致的模糊，沿分别与上述光轴相垂直的(M/2)方向相互独立地对通过上述照明光学系统，使上述射束直径增加的场合所产生的开口象差和色象差中的至少任何一个象差进行补偿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1321444C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200410000610.8
申请日：2004-01-13
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 长野修
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/76877 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用简易的结构高速地评价高纵横比的微细的布线图形沟槽中的金属的埋入状态。参照晶片(W)的金属膜(MF)的成膜时的目标厚度设定提供给涡流损失传感器(11)的高频电流的频率(步骤S1)，用涡流损失传感器(11)以横穿形成了布线图形沟槽(Gr)的区域(B)的方式对晶片(W)上表面进行扫描，测量金属膜(MF)中的与晶片(W)的表面相同的面的上方部分的膜厚(步骤S2)，从测量结果计算出涡流损失传感器(11)的扫描区域的膜厚差的最大值(步骤S3)。参照预先作为数据库(D2)而准备的最大膜厚差与布线图形沟槽中的埋入率的关系，从计算出的最大膜厚差计算出布线图形沟槽(Gr)内的金属的埋入率(步骤S4)。
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公开(公告)号：CN1645548B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200510002635.6
申请日：2005-01-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 长野修
IPC: H01J37/147 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/147 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/1536 , H01J2237/28 , H01J2237/3175
Abstract: 本发明提供一种带电粒子束装置，其具备：生成带电粒子束的带电粒子束发生器；生成使上述带电粒子束在外部的基板上成像的透镜场的投影光学系统；围着上述带电粒子束的光轴地配置的偏转器，该偏转器生成对应于上述带电粒子束应入射上述基板的角度其强度在上述光轴方向上变化地形成的偏转场，该偏转场与上述透镜场重叠且使上述带电粒子束偏向并控制朝向上述基板照射的位置。
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公开(公告)号：CN1518087A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410000610.8
申请日：2004-01-13
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 长野修
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/76877 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用简易的结构高速地评价高纵横比的微细的布线图形沟槽中的金属的埋入状态。参照晶片(W)的金属膜(MF)的成膜时的目标厚度设定提供给涡流损失传感器(11)的高频电流的频率(步骤S1)，用涡流损失传感器(11)以横穿形成了布线图形沟槽(Gr)的区域(B)的方式对晶片(W)上表面进行扫描，测量金属膜(MF)中的与晶片(W)的表面相同的面的上方部分的膜厚(步骤S2)，从测量结果计算出涡流损失传感器(11)的扫描区域的膜厚差的最大值(步骤S3)。参照预先作为数据库(D2)而准备的最大膜厚差与布线图形沟槽中的埋入率的关系，从计算出的最大膜厚差计算出布线图形沟槽(Gr)内的金属的埋入率(步骤S4)。
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公开(公告)号：CN1645548A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510002635.6
申请日：2005-01-21
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 长野修
IPC: H01J37/147 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/147 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/1536 , H01J2237/28 , H01J2237/3175
Abstract: 本发明提供一种带电粒子束装置，其具备：生成带电粒子束的带电粒子束发生器；生成使上述带电粒子束在外部的基板上成像的透镜场的投影光学系统；围着上述带电粒子束的光轴地配置的偏转器，该偏转器生成对应于上述带电粒子束应入射上述基板的角度其强度在上述光轴方向上变化地形成的偏转场，该偏转场与上述透镜场重叠且使上述带电粒子束偏向并控制朝向上述基板照射的位置。
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公开(公告)号：CN1452014A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03121474.6
申请日：2003-03-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01J37/00
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174
Abstract: 一种电荷束曝光装置，该电荷束曝光装置具备电荷束发射器、照明光学系统、单元孔阑、第1偏转器、缩小投影光学系统、第2偏转器；上述电荷束发射器以下述加速电压发射上述电荷束，该电压指低于接近效果所产生的电压的加速电压；上述缩小投影光学系统包括象差补偿器，该象差补偿器具有N层(N为2或以上的自然数)的M极子透镜(M为4或以上的偶数)，为了减小在上述电荷束的基板上成像的位置的空间电荷效应导致的模糊，沿分别与上述光轴相垂直的(M/2)方向相互独立地对通过上述照明光学系统，使上述射束直径增加的场合所产生的开口象差和色象差中的至少任何一个象差进行补偿。
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