公开(公告)号：CN1314116C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN97190416.2

申请日：1997-04-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 园田真久 ,  首藤晋 ,  田中米洼 ,  伊高利昭 ,  角田弘昭 ,  荒木仁

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/564 ,  H01L27/10844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在采用包含具有Si-H结合体的气体作为材料气体制作CVD薄膜(层间绝缘薄膜或钝化薄膜)时，CVD薄膜(12、31、32、33、34、47、48、49、57、59)中的Si-H结合体的数量设定为0.6×1021cm-3或更少，从而抑制栅极氧化物薄膜或隧道氧化物薄膜中的电子陷阱的形成并防止晶体管阈值的变化。此外，通过将CVD薄膜的折射率设定为1.65或更大或将CVD薄膜中的氮浓度设定为3×1021cm-3或更高可以提高抗湿性。

公开(公告)号：CN1189920A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97190416.2

申请日：1997-04-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 园田真久 ,  首藤晋 ,  田中米洼 ,  伊高利昭 ,  角田弘昭 ,  荒木仁

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/564 ,  H01L27/10844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在采用包含具有Si－H结合体的气体作为材料气体制作CVD薄膜(层间绝缘薄膜或钝化薄膜)时,CVD薄膜(12、31、32、33、34、47、48、49、57、59)中的Si－H结合体的数量设定为0.6×1021cm－3或更少,从而抑制栅极氧化物薄膜或隧道氧化物薄膜中的电子陷阱的形成并防止晶体管阈值的变化。此外,通过将CVD薄膜的折射率设定为1.65或更大或将CVD薄膜中的氮浓度设定为3×1021cm－3或更高可以提高抗湿性。

公开(公告)号：CN1490882A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03156947.1

申请日：2003-09-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 园田真久 ,  井口直 ,  角田弘昭 ,  坂上荣人

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823462

Abstract: 本发明提供在具有具备栅绝缘膜的场效应晶体管的半导体器件及其制造方法中，晶体管可进一步微细化的半导体器件及其制造方法。在含有多个元件区域和由使上述元件区域彼此间电隔离的STI(浅沟隔离)形成的元件隔离区域的半导体器件中，上述每一个元件区域都具备：沟道区域；在水平方向上夹持上述沟道区域形成的源、漏区；在上述沟道区域上形成，而且，与上述源、漏区夹持上述沟道区域的上述方向大体上垂直的水平方向上的、在和与上述沟道区域对向的面相反一侧的面上从上述元件隔离区域侧形成的、鸟喙的角度在1度以下的栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上形成的栅电极层。

公开(公告)号：CN1168145C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN01125493.9

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 成田一仁 ,  园田真久 ,  坂上荣人 ,  角田弘昭 ,  小林英行

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115

Abstract: 在STI技术中为防止栅电极互相短路，本发明的半导体器件具备有：主表面上设有沟13a的半导体衬底11；埋入上述沟13a且从上述沟13a突出上部的器件隔离绝缘膜14；具备设于上述半导体衬底11的一个主表面上的栅绝缘膜15和设于上述栅绝缘膜15上且构成栅电极16的至少一部分的栅电极材料膜16a的晶体管，其特征是上述栅电极材料膜16a直接与上述器件隔离绝缘膜14的突出部侧面接触，上述栅电极材料膜16a具有倒锥形的剖面形状。

公开(公告)号：CN1333565A

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN01125493.9

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 成田一仁 ,  园田真久 ,  坂上荣人 ,  角田弘昭 ,  小林英行

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115

Abstract: 在STI技术中为防止栅电极互相短路,本发明的半导体器件具备有:主表面上设有沟13a的半导体衬底11;埋入上述沟13a且从上述沟13a突出上部的器件隔离绝缘膜14;具备设于上述半导体衬底11的一个主表面上的栅绝缘膜15和设于上述栅绝缘膜15上且构成栅电极16的至少一部分的栅电极材料膜16a的晶体管,其特征是上述栅电极材料膜16a直接与上述器件隔离绝缘膜14的突出部侧面接触,上述栅电极材料膜16a具有倒锥形的剖面形状。