公开(公告)号：CN1168145C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN01125493.9

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 成田一仁 ,  园田真久 ,  坂上荣人 ,  角田弘昭 ,  小林英行

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115

Abstract: 在STI技术中为防止栅电极互相短路，本发明的半导体器件具备有：主表面上设有沟13a的半导体衬底11；埋入上述沟13a且从上述沟13a突出上部的器件隔离绝缘膜14；具备设于上述半导体衬底11的一个主表面上的栅绝缘膜15和设于上述栅绝缘膜15上且构成栅电极16的至少一部分的栅电极材料膜16a的晶体管，其特征是上述栅电极材料膜16a直接与上述器件隔离绝缘膜14的突出部侧面接触，上述栅电极材料膜16a具有倒锥形的剖面形状。

公开(公告)号：CN1333565A

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN01125493.9

申请日：2001-06-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 成田一仁 ,  园田真久 ,  坂上荣人 ,  角田弘昭 ,  小林英行

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/115

Abstract: 在STI技术中为防止栅电极互相短路,本发明的半导体器件具备有:主表面上设有沟13a的半导体衬底11;埋入上述沟13a且从上述沟13a突出上部的器件隔离绝缘膜14;具备设于上述半导体衬底11的一个主表面上的栅绝缘膜15和设于上述栅绝缘膜15上且构成栅电极16的至少一部分的栅电极材料膜16a的晶体管,其特征是上述栅电极材料膜16a直接与上述器件隔离绝缘膜14的突出部侧面接触,上述栅电极材料膜16a具有倒锥形的剖面形状。