公开(公告)号：CN118352258A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410035907.5

申请日：2024-01-10

Applicant: 株式会社东京精密

Inventor： 田母神崇 ,  金城裕介 ,  对马健夫

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/78 ,  B28D5/02 ,  B28D7/00

Abstract: 本申请提供一种切割槽的检查方法和切割方法，其可通过进行槽内部的测定来提高晶片的加工精度。切割槽的检查方法包含步骤：使用搭载观察部(MS)的切割装置对晶片进行测试切割而形成检查用槽，其中在晶片上形成具有能够由观察部进行检查用槽的内部的测定的测定极限深度以下的深度的检查用槽；以及使用观察部对通过测试切割在晶片上形成的检查用槽的内部进行测定。

公开(公告)号：CN118372383A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410065532.7

申请日：2024-01-17

Applicant: 株式会社东京精密

Inventor： 田母神崇

IPC: B28D5/04 ,  B28D7/00 ,  B28D7/04 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/66 ,  G01B11/24 ,  G01B11/22

Abstract: 本申请公开切割装置及切割装置的控制方法，其能发现芯片粘接膜的未分割不良。一种切割装置(10)，对由芯片粘接膜DAF(7)被粘贴于切割带(9)的工件的切割道(W)进行切割加工，从而沿着切割道切断工件(W)和芯片粘接膜，该切割装置(10)包括：截面轮廓获取部(白色干涉显微镜(24)、处理部(64))，用于获取通过切割加工所形成的加工槽(19)的截面轮廓；切深量检测部(72)，用于基于截面轮廓获取部所获取的截面轮廓来检测由切割加工产生的对芯片粘接膜的切深量(Δd)；以及分割判定部(74)，用于基于切深量检测部(72)所检测的切深量来判定芯片粘接膜是否处于未分割状态。