发光薄膜、发光阵列薄膜、微发光二极管阵列与其制法

    公开(公告)号:CN114695625A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202110529706.7

    申请日:2021-05-14

    Applicant: 林清富

    Abstract: 本发明实施例提供发光薄膜、发光阵列薄膜、微发光二极管阵列与其制造方法。在一个实施例中,在基板上形成磊晶层,以及在磊晶层上形成薄膜转换层。可通过微影制程(lithography)定义像素,像素的尺寸可以非常小。此制造方法不需要巨量转移。所制作的发光薄膜及薄膜转换层为均质薄膜,并且不溶解于水,可抵御水气从而节省制程步骤。

    微发光二极管阵列与其制造方法

    公开(公告)号:CN112349743A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202010461347.1

    申请日:2020-05-27

    Applicant: 林清富

    Abstract: 本发明实施例提供一种微发光二极管阵列与其制造方法,其包含基板,在基板上形成磊晶层,以及在磊晶层上形成薄膜转换层。可通过微影制程(lithography)定义像素,像素的尺寸可以非常小。此制造方法的特征是不需要巨量转移。

    热载流子光电转换装置及其方法

    公开(公告)号:CN104241413A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410231002.1

    申请日:2014-05-28

    Applicant: 林清富

    Abstract: 一种热载流子光电转换装置及其方法,该方法包括:提供具有P型半导体层、N型半导体层、与无机可导电的吸光层的热载流子光电转换装置,其中,该无机可导电的吸光层位于该P型半导体层与该N型半导体层之间,且该P型半导体层与该N型半导体层之间形成电场。接着,通过该无机可导电的吸光层吸收光子而产生电子及空穴。最后,通过该电场或是扩散作用将该电子及该空穴分别移向该N型半导体层与该P型半导体层,使该电子及该空穴各自导出而产生电能。借此,本发明能增加该光子的吸收数量,并快速导出大量具有高能量的电子与空穴(热载流子),以提高光电转换效率,进而产生具有高开路电压及高电流的电能。

    抬头显示器、发光薄膜与其制法

    公开(公告)号:CN110133850B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN201910069910.8

    申请日:2019-01-24

    Applicant: 林清富

    Abstract: 本发明是抬头显示器、发光薄膜与其制法。所述发光薄膜,包含一种或多种发光材料以及基体。每个发光材料可吸收光子或电磁波后再重新辐射出光子或电磁波。基体用以消除发光材料形成薄膜后的光散射特性。较佳的,上述发光薄膜是以水溶液工艺所制成。本发明还揭露一种利用上述发光薄膜的抬头显示器。

    左、右向重叠螺纹的螺杆及其旋合件

    公开(公告)号:CN1078774A

    公开(公告)日:1993-11-24

    申请号:CN93104833.8

    申请日:1993-05-14

    Applicant: 林清富

    Inventor: 林清富

    Abstract: 本发明涉及一种螺纹联接,尤其指防止松动的螺纹联接。它包括一根螺杆、左旋合件和右旋合件,其特征是:在螺杆上具有重叠的右螺纹和左螺纹,并且右螺纹和左螺纹中有一个起始端在螺杆端面,分别为右旋合件、左旋合件旋合起始端从而能使螺纹联接互相反制锁紧,锁紧可靠而且降低成本,此外还有在夹具上用于快速移动钳口的传动件。

    光侦测元件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110491956A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910251961.2

    申请日:2019-03-29

    Applicant: 林清富

    Abstract: 本发明一实施例提供一种利用金属半导体界面的光侦测元件,可应用于红外光的侦测。在另一实施例,该光侦测元件导入局域表面等离子体共振结构,以提升元件的光电响应与侦测波长范围。该光侦测元件可应用于测量各种入射光强度与测量可见光至中红外光波段(300nm~20μm)的入射光信号。

    热载流子光电转换装置及其方法

    公开(公告)号:CN104241413B

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201410231002.1

    申请日:2014-05-28

    Applicant: 林清富

    CPC classification number: H01L31/06 H01L51/0039 H01L51/4213 Y02E10/549

    Abstract: 一种热载流子光电转换装置及其方法,该方法包括:提供具有P型半导体层、N型半导体层、与无机可导电的吸光层的热载流子光电转换装置,其中,该无机可导电的吸光层位于该P型半导体层与该N型半导体层之间,且该P型半导体层与该N型半导体层之间形成电场。接着,通过该无机可导电的吸光层吸收光子而产生电子及空穴。最后,通过该电场或是扩散作用将该电子及该空穴分别移向该N型半导体层与该P型半导体层,使该电子及该空穴各自导出而产生电能。借此,本发明能增加该光子的吸收数量,并快速导出大量具有高能量的电子与空穴(热载流子),以提高光电转换效率,进而产生具有高开路电压及高电流的电能。

    大面积薄型单晶硅的制作技术

    公开(公告)号:CN103145090A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201210518396.X

    申请日:2012-12-05

    Applicant: 林清富

    CPC classification number: B81C99/008 B81B2207/056 B81C1/0038 B81C2201/0194

    Abstract: 本发明是有关于一种大面积薄型单晶硅的制作技术,特别是有关一种利用金属辅助蚀刻技术在硅基板或硅晶圆上制作微米结构或纳米结构并脱离硅基板或晶圆的方法。此方法借由金属催化剂沉积、纵向蚀刻、侧向蚀刻、而使微米结构或纳米结构剥离或转移等简单的工艺,形成薄型单晶硅,并将基板表面处理后,使基板进行回收用于重复制作薄型单晶硅,而对基板做充分的利用,达到降低其制作成本的目的与增加应用的范围。

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