公开(公告)号：CN110491956A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910251961.2

申请日：2019-03-29

Applicant: 林清富

Inventor： 林清富 ,  庄闳杰 ,  林孟颉 ,  黄柏瑞

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明一实施例提供一种利用金属半导体界面的光侦测元件，可应用于红外光的侦测。在另一实施例，该光侦测元件导入局域表面等离子体共振结构，以提升元件的光电响应与侦测波长范围。该光侦测元件可应用于测量各种入射光强度与测量可见光至中红外光波段(300nm～20μm)的入射光信号。

公开(公告)号：CN110491956B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910251961.2

申请日：2019-03-29

Applicant: 林清富

Inventor： 林清富 ,  庄闳杰 ,  林孟颉 ,  黄柏瑞

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明一实施例提供一种利用金属半导体界面的光侦测元件，可应用于红外光的侦测。在另一实施例，该光侦测元件导入局域表面等离子体共振结构，以提升元件的光电响应与侦测波长范围。该光侦测元件可应用于测量各种入射光强度与测量可见光至中红外光波段(300nm～20μm)的入射光信号。