公开(公告)号：CN114695625A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202110529706.7

申请日：2021-05-14

Applicant: 林清富

Inventor： 林清富 ,  黄容宽 ,  黄腾毅 ,  林仪姗 ,  蔡涵宇

IPC: H01L33/50 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明实施例提供发光薄膜、发光阵列薄膜、微发光二极管阵列与其制造方法。在一个实施例中，在基板上形成磊晶层，以及在磊晶层上形成薄膜转换层。可通过微影制程(lithography)定义像素，像素的尺寸可以非常小。此制造方法不需要巨量转移。所制作的发光薄膜及薄膜转换层为均质薄膜，并且不溶解于水，可抵御水气从而节省制程步骤。

公开(公告)号：CN112349743A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010461347.1

申请日：2020-05-27

Applicant: 林清富

Inventor： 林清富 ,  林峻宇 ,  林仪姗 ,  黄容宽

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明实施例提供一种微发光二极管阵列与其制造方法，其包含基板，在基板上形成磊晶层，以及在磊晶层上形成薄膜转换层。可通过微影制程(lithography)定义像素，像素的尺寸可以非常小。此制造方法的特征是不需要巨量转移。