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公开(公告)号:CN104241413B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201410231002.1
申请日:2014-05-28
Applicant: 林清富
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/06 , H01L51/0039 , H01L51/4213 , Y02E10/549
Abstract: 一种热载流子光电转换装置及其方法,该方法包括:提供具有P型半导体层、N型半导体层、与无机可导电的吸光层的热载流子光电转换装置,其中,该无机可导电的吸光层位于该P型半导体层与该N型半导体层之间,且该P型半导体层与该N型半导体层之间形成电场。接着,通过该无机可导电的吸光层吸收光子而产生电子及空穴。最后,通过该电场或是扩散作用将该电子及该空穴分别移向该N型半导体层与该P型半导体层,使该电子及该空穴各自导出而产生电能。借此,本发明能增加该光子的吸收数量,并快速导出大量具有高能量的电子与空穴(热载流子),以提高光电转换效率,进而产生具有高开路电压及高电流的电能。
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公开(公告)号:CN104241413A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410231002.1
申请日:2014-05-28
Applicant: 林清富
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/06 , H01L51/0039 , H01L51/4213 , Y02E10/549 , H01L31/0264 , H01L31/18
Abstract: 一种热载流子光电转换装置及其方法,该方法包括:提供具有P型半导体层、N型半导体层、与无机可导电的吸光层的热载流子光电转换装置,其中,该无机可导电的吸光层位于该P型半导体层与该N型半导体层之间,且该P型半导体层与该N型半导体层之间形成电场。接着,通过该无机可导电的吸光层吸收光子而产生电子及空穴。最后,通过该电场或是扩散作用将该电子及该空穴分别移向该N型半导体层与该P型半导体层,使该电子及该空穴各自导出而产生电能。借此,本发明能增加该光子的吸收数量,并快速导出大量具有高能量的电子与空穴(热载流子),以提高光电转换效率,进而产生具有高开路电压及高电流的电能。
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