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公开(公告)号：CN109642265B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201880003262.X
申请日：2018-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 采用一种薄带零件的制造方法，包括以下工序：加工工序，将非晶质薄带部件加工为比目标形状大的尺寸形状；和热处理工序，对由所述加工工序加工的所述非晶质薄带部件进行热处理使其收缩，并使其成为所述目标形状的薄带零件。采用一种薄带零件，该薄带零件是多个板状的相同形状的薄带零件层叠而成的磁性层叠体，所述磁性层叠体的侧面在整体上具有凹部。使用一种电动机，其包括：上述记载的薄带零件；配置于所述薄带零件的多个线圈；和配置于所述多个线圈之间的转子。
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公开(公告)号：CN109643603A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051502.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01F27/245 , H01F27/24 , H01F27/26 , H02K1/02
Abstract: 使用一种铁芯，包括：将多个纳米结晶薄带层叠而成的层叠体；基板；和将所述层叠体与所述基板紧固的紧固部，所述层叠体的上下表面的至少一方具有着色的氧化膜和未着色的氧化膜。另外，使用如下所述的上述铁芯：所述着色的氧化膜的区域比所述未着色的氧化膜的区域广。进而，使用将上述记载的铁芯用于定子的电动机。
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公开(公告)号：CN1305219C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410101350.3
申请日：2004-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03K17/10
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K17/102
Abstract: 在电平转换电路中，N型高压晶体管的门限电压被设置为低，其中低压电源VDD的电压加到N型高压晶体管的栅极。由低压电源VDD供电的输入信号IN经过反相器输入N型晶体管的栅极。因此，即使节点W3和W4的电势超出低压电源VDD的电压，也可避免从节点W3和W4经过反相器中的寄生二极管流到低压电源VDD的倒流电流。由各个栅极固定在低压电源VDD上的N型晶体管构成的保护电路位于两个N型高压晶体管N5和N6之间以及两个N型低压晶体管N1和N2之间，用于接收补偿信号IN和XIN，由此避免那些N型补偿信号接收晶体管损坏。
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公开(公告)号：CN1630194A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410101350.3
申请日：2004-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03K17/10
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K17/102
Abstract: 在电平转换电路中，N型高压晶体管的门限电压被设置为低，其中低压电源VDD的电压加到N型高压晶体管的栅极。由低压电源VDD供电的输入信号IN经过反相器输入N型晶体管的栅极。因此，即使节点W3和W4的电势超出低压电源VDD的电压，也可避免从节点W3和W4经过反相器中的寄生二极管流到低压电源VDD的倒流电流。由各个栅极固定在低压电源VDD上的N型晶体管构成的保护电路位于两个N型高压晶体管N5和N6之间以及两个N型低压晶体管N1和N2之间，用于接收补偿信号IN和XIN，由此避免那些N型补偿信号接收晶体管损坏。
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公开(公告)号：CN109643603B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780051502.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01F27/245 , H01F27/24 , H01F27/26 , H02K1/02
Abstract: 使用一种铁芯，包括：将多个纳米结晶薄带层叠而成的层叠体；基板；和将所述层叠体与所述基板紧固的紧固部，所述层叠体的上下表面的至少一方具有着色的氧化膜和未着色的氧化膜。另外，使用如下所述的上述铁芯：所述着色的氧化膜的区域比所述未着色的氧化膜的区域广。进而，使用将上述记载的铁芯用于定子的电动机。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1311543C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410031476.8
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5286 , H01L24/02 , H01L24/06 , H01L2224/05552 , H01L2224/05624 , H01L2224/4943 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它能使位于半导体芯片周围的输入输出电路部，不招致ESD保护晶体管的击穿，又能将侵入电极焊接区的静电放电保护内部电路。各输入输出单元(IOC)，配备多个ESD保护晶体管(OT)。电极焊接区单元(Pad)由下侧的电极焊接区(50)和上侧的电极焊接区(51)的2层结构构成。配置该电极焊接区单元(PAD)，使之覆盖配备在自己的单元(IOC)上的ESD保护晶体管(OT)的连接布线(16)的上方。邻接的电极焊接区(50)的第1焊接区部(50a)位于电极焊接区(50)的第2焊接区部(50b)的端部，该第2焊接区部(50b)虽然不延伸到前方，但是，比该第2焊接区部(50b)宽度更窄的第3焊接区部(50c)配置在前方。
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公开(公告)号：CN1184743C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02126870.3
申请日：2002-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0948 , H03K19/00 , H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/012 , H03K3/356113
Abstract: 本发明旨在提供这样的电平移动电路，即使低压信号的电压电平降低时，该电路也可稳定输出经电平变换的信号。为此，在数字信号在N沟道晶体管15、16源极处输入的CMOS电平移动电路中，N沟道晶体管15、16的栅极处被输入偏置电压Vref，该偏置电压Vref，高于数字信号的高电平电压，但低于数字信号的高电平电压加上N沟道晶体管15、16的阈值电压后的值。本发明提供一种设有第一N沟道晶体管、第二N沟道晶体管、第一P沟道晶体管以及第二P沟道晶体管的CMOS电平移动电路，其中第一N沟道晶体管的衬底电极与第二N沟道晶体管的衬底电极上所加的电压之一或它们二者低于接地电压。
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公开(公告)号：CN1398045A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126870.3
申请日：2002-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/00 , H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/012 , H03K3/356113
Abstract: 本发明旨在提供这样的电平移动电路，即使低压信号的电压电平降低时，该电路也可稳定输出经电平变换的信号。为此，在数字信号在N沟道晶体管15、16源极处输入的CMOS电平移动电路中，N沟道晶体管15、16的栅极处被输入偏置电压Vref，该偏置电压Vref，高于数字信号的高电平电压，但低于数字信号的高电平电压加上N沟道晶体管15、16的阈值电压后的值。
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公开(公告)号：CN109642265A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201880003262.X
申请日：2018-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 采用一种薄带零件的制造方法，包括以下工序：加工工序，将非晶质薄带部件加工为比目标形状大的尺寸形状；和热处理工序，对由所述加工工序加工的所述非晶质薄带部件进行热处理使其收缩，并使其成为所述目标形状的薄带零件。采用一种薄带零件，该薄带零件是多个板状的相同形状的薄带零件层叠而成的磁性层叠体，所述磁性层叠体的侧面在整体上具有凹部。使用一种电动机，其包括：上述记载的薄带零件；配置于所述薄带零件的多个线圈；和配置于所述多个线圈之间的转子。
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公开(公告)号：CN109417318A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040568.8
申请日：2017-06-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 使用一种磁性板的层叠体，包括：层叠体，是将多个薄带层叠而成的；以及紧固部件，设置于上述层叠体的开口。另外，使用一种磁性板的层叠体的制造方法，包括：对于将上述薄带设为非晶薄带的上述磁性体的层叠体，对其进行热处理以使上述薄带具有纳米晶粒。使用一种电机，具备：定子，是将上述磁性板的层叠体层叠多层而成的；固定板，对上述定子进行固定；以及转子，配置于上述定子的中央的开口。
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