公开(公告)号：CN1305219C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410101350.3

申请日：2004-12-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前出正人 ,  野尻尚纪 ,  只园雅弘 ,  衣山真二 ,  松冈大辅 ,  宇佐美志郎

IPC: H03K19/0185 ,  H03K17/10

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K17/102

Abstract: 在电平转换电路中，N型高压晶体管的门限电压被设置为低，其中低压电源VDD的电压加到N型高压晶体管的栅极。由低压电源VDD供电的输入信号IN经过反相器输入N型晶体管的栅极。因此，即使节点W3和W4的电势超出低压电源VDD的电压，也可避免从节点W3和W4经过反相器中的寄生二极管流到低压电源VDD的倒流电流。由各个栅极固定在低压电源VDD上的N型晶体管构成的保护电路位于两个N型高压晶体管N5和N6之间以及两个N型低压晶体管N1和N2之间，用于接收补偿信号IN和XIN，由此避免那些N型补偿信号接收晶体管损坏。

公开(公告)号：CN1630194A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410101350.3

申请日：2004-12-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 前出正人 ,  野尻尚纪 ,  只园雅弘 ,  衣山真二 ,  松冈大辅 ,  宇佐美志郎

IPC: H03K19/0185 ,  H03K17/10

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K17/102

Abstract: 在电平转换电路中，N型高压晶体管的门限电压被设置为低，其中低压电源VDD的电压加到N型高压晶体管的栅极。由低压电源VDD供电的输入信号IN经过反相器输入N型晶体管的栅极。因此，即使节点W3和W4的电势超出低压电源VDD的电压，也可避免从节点W3和W4经过反相器中的寄生二极管流到低压电源VDD的倒流电流。由各个栅极固定在低压电源VDD上的N型晶体管构成的保护电路位于两个N型高压晶体管N5和N6之间以及两个N型低压晶体管N1和N2之间，用于接收补偿信号IN和XIN，由此避免那些N型补偿信号接收晶体管损坏。