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公开(公告)号：CN1930327A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN102484124A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080037631.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L29/1066 , H01L29/4175 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。
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公开(公告)号：CN102484124B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201080037631.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L29/1066 , H01L29/4175 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。
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公开(公告)号：CN102292801A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005230.7
申请日：2010-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。
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公开(公告)号：CN102292801B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080005230.7
申请日：2010-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 一种场效应晶体管，具备在衬底上形成的第1半导体层(103、104)与第2半导体层(105)，第1半导体层具有含有非导电型杂质的作为元件分离区域而设置的含有区域、与不含有该非导电型杂质的非含有区域，所述第1半导体层是含有区域和所述非含有区域的界面中包含所述栅极电极下方的界面部分在内的该界面部分附近的区域，并且是比该界面部分靠近所述含有区域侧的区域，所述第2半导体层包含位于第1区域紧上方的第2区域，第2区域的所述非导电型杂质的浓度比所述第1区域的所述非导电型杂质的浓度低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103081062A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040477.7
申请日：2011-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/38
CPC classification number: H01L21/265 , C30B29/06 , C30B29/403 , C30B31/22 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/2652
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法，在包含硅的基板的上部，形成硅氧化膜。其后，通过对基板(101)中的硅氧化膜的下侧的区域进行离子注入，接着进行热处理，而形成包含注入了离子的单晶硅的基底层(102)。接下来，通过除去硅氧化膜，而露出基底层(102)。其后，在基底层(102)上形成GaN层(105)。
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公开(公告)号：CN110476232A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880023381.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812 , H03K17/687
Abstract: 本发明的目的是提供能够以提高的稳定性进行开关操作的双向开关，并且还提供包括这样的双向开关的双向开关装置。双向开关(8a)包括：第一横向晶体管(1)，其包括在第一导电层(10)的面上的第一半导体层(11)；第二横向晶体管(2)，其包括在第二导电层(20)的面上的第二半导体层(21)；连接构件(5a)；第一导体构件(61a)；以及第二导体构件(62a)。连接构件(5a)将第一横向晶体管(1)和第二横向晶体管(2)反向串联地连接在一起。第一导体构件(61a)将第一横向晶体管(1)的第一源极电极(1S)电气连接至第一导电层(10)。第二导体构件(62a)将第二横向晶体管(2)的第二源极电极(2S)电气连接至第二导电层(20)。
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公开(公告)号：CN103548127A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024242.3
申请日：2012-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/205 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L29/04 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/4236 , H01L29/475 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：基板(101)；载流子渡越层(103)，其由形成在基板上的III族氮化物半导体构成，使载流子在沿基板的主面的方向上渡越；势垒层(104)，其形成于载流子渡越层上，由带隙比第一III族氮化物半导体更大的第二III族氮化物半导体构成；和电极(106)，其形成于势垒层上。进而具备：帽层(105)，其形成在势垒层(104)上且形成于电极的侧方的区域，由单晶与多晶混合存在的第三III族氮化物半导体构成。
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公开(公告)号：CN103392225A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201180068394.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/0607 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/41725 , H01L29/7786 , H01L29/861
Abstract: 氮化物半导体装置具有：半导体基板(101)和在半导体基板上形成的氮化物半导体层(102)。半导体基板(101)具有通常区域(101A)、载流子供给区域(101C)以及界面电流阻挡区域(101B)。界面电流阻挡区域包围通常区域以及载流子供给区域；界面电流阻挡区域与载流子供给区域分别含有杂质。载流子供给区域具有成为向在氮化物半导体层与半导体基板的界面形成的载流子层进行供给的载流子供给源且成为载流子的排出目的地的导电类型。界面电流阻挡区域具有针对载流子形成势垒的导电类型。
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公开(公告)号：CN100535200C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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