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公开(公告)号：CN112859551A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110241380.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法及其显影液产品，所述芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法包括以下步骤：非离子型表面活性剂的溶解、杂质析出、杂质分离、分析杂质离子浓度、加纯水稀释并重复前面步骤直至各指标达到半导体集成电路用显影液的使用要求。所述显影液产品是由纯化后的非离子型表面活性剂的水溶液与四甲基氢氧化铵水溶液进行循环冷却搅拌混合，得到四甲基氢氧化铵浓度为1‑5 wt%的显影液产品。本发明的提纯方法操作流程简单，设备需求简单，成本低，在提纯过程中不会引入其他杂质组分，采用提纯后非离子型表面活性剂水溶液进行复配的显影液产品，可满足芯片集成电路使用的洁净度和应用要求。
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公开(公告)号：CN118668231B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410879528.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC: C25B11/053 , G03F7/32 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09
Abstract: 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN117187852A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311144197.1
申请日：2023-09-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC: C25B11/053 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09 , G03F7/32
Abstract: 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN111440613B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911250769.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00
Abstract: 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。
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公开(公告)号：CN119781262A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510243258.2
申请日：2025-03-03
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 合肥格林达电子材料有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种兼容性高精细抗蚀剂剥离液组合物，包括有机胺，质子性有机溶剂，非质子性有机溶剂，添加剂和表面活性剂；所述添加剂包括Al缓蚀剂、金属电位调节剂和表面亲水性改善剂；本发明抗蚀剂剥离液组合物成分环保，所用有机胺对于光刻胶攻击作用强，剥离性能好，质子性有机溶剂和非质子性有机溶剂的组合使用有利于增强剥离液对于光刻胶的溶解和清洗性能，降低剥离和水洗过程中光刻胶的析出，提高药液使用寿命。三类添加剂之间存在较好的协同作用，剥离和水洗过程中光刻胶不易黏附在ITO等制程层表面，剥离液对Cu膜层或Al膜层均无腐蚀，保证剥离液对于Cu制程、Al制程和ITO制程等多制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性，降低生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118668231A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410879528.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC: C25B11/053 , G03F7/32 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09
Abstract: 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN117285985A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310198224.7
申请日：2023-03-03
Applicant: 四川格林达电子材料有限公司 , 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C11D1/00 , H01L21/02 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B13/00 , F26B21/00 , C11D1/66 , C11D3/28 , C11D3/04 , C11D3/60
Abstract: 本发明公开了低动态表面张力的绝缘层缓冲清洗液及其制备方法与应用，包括以下组分：氢氟酸1～10％、氟化铵15～30％、氟化氢铵1～10％、腐蚀抑制剂0.01～1％、非离子表面活性剂0.001～0.1％、其余组分为水，所有组分按重量百分比计总和为100％。本发明实现了具有动态表面张力低，起泡性低，消泡快，不腐蚀下层金属膜层，使用寿命长，使用成本低等优点。
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公开(公告)号：CN111440613A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201911250769.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00
Abstract: 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。
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公开(公告)号：CN106479504B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610860875.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06
Abstract: 本发明涉及一种用于ITO‑Ag‑ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法，其重量百分比组成如下：硝酸5～15％，硫酸5～15％，醋酸5～25％，添加剂0.01～1％，余量为水，所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中，然后加入添加剂和余量高纯水，搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强，蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料，不含磷酸，蚀刻液黏度低，蚀刻过程中药液带出量少，蚀刻液寿命长，有利于降低蚀刻液的成本。
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公开(公告)号：CN114280901B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210076546.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低动态表面张力的高精细抗蚀剂剥离液组合物及其制备方法，包括2～8%重量份有机胺，25～70%重量份质子性有机溶剂，25～70%重量份非质子性有机溶剂，0.3～3%重量份添加剂，0.1～0.5%重量份表面活性剂；上述各组分总重量份之和为100%。制备方法包括：S1：加入非质子性有机溶剂；S2：不断搅拌，加入质子性有机溶剂；S3：不断搅拌，加入有机胺，并控制温度在40℃以内；S4：不断搅拌，加入添加剂和表面活性剂，并循环3h以上得到混合液；S5：将混合液采用过滤器进行循环过滤，得到成品剥离液组合物。本发明剥离性能好，有利于增强剥离液对于抗蚀剂的溶解和清洗性能，保证剥离液对于Cu制程和Al制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性。
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