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公开(公告)号：CN119781262A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510243258.2
申请日：2025-03-03
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 合肥格林达电子材料有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种兼容性高精细抗蚀剂剥离液组合物，包括有机胺，质子性有机溶剂，非质子性有机溶剂，添加剂和表面活性剂；所述添加剂包括Al缓蚀剂、金属电位调节剂和表面亲水性改善剂；本发明抗蚀剂剥离液组合物成分环保，所用有机胺对于光刻胶攻击作用强，剥离性能好，质子性有机溶剂和非质子性有机溶剂的组合使用有利于增强剥离液对于光刻胶的溶解和清洗性能，降低剥离和水洗过程中光刻胶的析出，提高药液使用寿命。三类添加剂之间存在较好的协同作用，剥离和水洗过程中光刻胶不易黏附在ITO等制程层表面，剥离液对Cu膜层或Al膜层均无腐蚀，保证剥离液对于Cu制程、Al制程和ITO制程等多制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111440613A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201911250769.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00
Abstract: 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。
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公开(公告)号：CN113621373B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010371438.6
申请日：2020-05-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明是一种IGZO薄膜蚀刻液，由如下重量百分比计的原料制成：2～5wt%的草酸、0.1～1wt%的蚀刻速率稳定剂、1～3wt%的水分挥发抑制剂、0.01‑1wt%的表面活性剂、余量为水，本发明中蚀刻液成分简单，工艺简单，性质稳定，容易储存，蚀刻速率适中，蚀刻均一性好，精度高。
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公开(公告)号：CN111440613B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911250769.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00
Abstract: 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。
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公开(公告)号：CN114280901B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210076546.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低动态表面张力的高精细抗蚀剂剥离液组合物及其制备方法，包括2～8%重量份有机胺，25～70%重量份质子性有机溶剂，25～70%重量份非质子性有机溶剂，0.3～3%重量份添加剂，0.1～0.5%重量份表面活性剂；上述各组分总重量份之和为100%。制备方法包括：S1：加入非质子性有机溶剂；S2：不断搅拌，加入质子性有机溶剂；S3：不断搅拌，加入有机胺，并控制温度在40℃以内；S4：不断搅拌，加入添加剂和表面活性剂，并循环3h以上得到混合液；S5：将混合液采用过滤器进行循环过滤，得到成品剥离液组合物。本发明剥离性能好，有利于增强剥离液对于抗蚀剂的溶解和清洗性能，保证剥离液对于Cu制程和Al制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113621373A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010371438.6
申请日：2020-05-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明是一种IGZO薄膜蚀刻液，由如下重量百分比计的原料制成：2～5wt%的草酸、0.1～1wt%的蚀刻速率稳定剂、1～3wt%的水分挥发抑制剂、0.01‑1wt%的表面活性剂、余量为水，本发明中蚀刻液成分简单，工艺简单，性质稳定，容易储存，蚀刻速率适中，蚀刻均一性好，精度高。
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公开(公告)号：CN114280901A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210076546.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低动态表面张力的高精细抗蚀剂剥离液组合物及其制备方法，包括2～8%重量份有机胺，25～70%重量份质子性有机溶剂，25～70%重量份非质子性有机溶剂，0.3～3%重量份添加剂，0.1～0.5%重量份表面活性剂；上述各组分总重量份之和为100%。制备方法包括：S1：加入非质子性有机溶剂；S2：不断搅拌，加入质子性有机溶剂；S3：不断搅拌，加入有机胺，并控制温度在40℃以内；S4：不断搅拌，加入添加剂和表面活性剂，并循环3h以上得到混合液；S5：将混合液采用过滤器进行循环过滤，得到成品剥离液组合物。本发明剥离性能好，有利于增强剥离液对于抗蚀剂的溶解和清洗性能，保证剥离液对于Cu制程和Al制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN212722002U
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202021381258.8
申请日：2020-07-14
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: G01M13/00
Abstract: 本实用新型涉及一种实验室用模块化喷淋式湿电子化学品评价设备，包括配合设有控制器的处理装置、多腔体装置、运送装置；处理装置包括设于多腔体装置顶部的若干喷淋装置和若干吹扫装置；多腔体装置包括顺次连接的第一模块、第三模块、若干第二模块、第三模块和第一模块，喷淋装置或吹扫装置配合设置在第二模块顶部，前端和后端的第三模块顶部分别设置喷淋装置和吹扫装置，两个第三模块对称；运送装置与第二模块和第三模块配合。本实用新型适用于湿电子化学品开发过程中小批量产品在线验证，参考价值高，避免评价偏差，充分满足模拟；实验规模小，安装成本低，物料可在湿电子化学品开发公司现地考评，反馈速度快，提高湿电子化学品的开发速度。
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公开(公告)号：CN218003005U
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202222191924.7
申请日：2022-08-19
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: G01N1/14
Abstract: 本实用新型公开了一种高净自清洁深桶取样装置，包括取样管、收放控制模块，所述取样管缠绕在所述收放控制模块上，所述收放控制模块外部设有密封的外壳，所述外壳固定有清洗模块，所述清洗模块末端连接有干燥模块，所述干燥模块末端连接有密封接头，所述取样管贯穿所述干燥模块、清洗模块、密封接头。本实用新型中，取样管在伸入样品内之前进行清洗并干燥，提高了取样管的洁净程度，同时取样管处于各模块内部，不与外部接触，避免了携带外部污染源。
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公开(公告)号：CN216726689U
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202220176752.3
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种高效连续的电子级氨水制备系统，包括液氨罐，所述液氨罐通过管道连接缓冲罐，所述缓冲罐的另一端通过管道连接水洗单元，所述水洗单元的另一端通过管道连接吸收罐，所述水洗单元靠近所述缓冲罐的一端还连接有废液处理单元，所述废液处理单元的另一端连接污水处理系统，所述吸收罐的另一端通过管道并联连接所述水洗单元和成品单元，所述管道均设置有阀门。本实用新型实现电子级氨水制备系统的简单化、高效化、连续化。
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