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公开(公告)号：CN112859551A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110241380.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法及其显影液产品，所述芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法包括以下步骤：非离子型表面活性剂的溶解、杂质析出、杂质分离、分析杂质离子浓度、加纯水稀释并重复前面步骤直至各指标达到半导体集成电路用显影液的使用要求。所述显影液产品是由纯化后的非离子型表面活性剂的水溶液与四甲基氢氧化铵水溶液进行循环冷却搅拌混合，得到四甲基氢氧化铵浓度为1‑5 wt%的显影液产品。本发明的提纯方法操作流程简单，设备需求简单，成本低，在提纯过程中不会引入其他杂质组分，采用提纯后非离子型表面活性剂水溶液进行复配的显影液产品，可满足芯片集成电路使用的洁净度和应用要求。
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公开(公告)号：CN118668231B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410879528.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC: C25B11/053 , G03F7/32 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09
Abstract: 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN117187852A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311144197.1
申请日：2023-09-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC: C25B11/053 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09 , G03F7/32
Abstract: 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN117187852B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311144197.1
申请日：2023-09-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC: C25B11/053 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09 , G03F7/32
Abstract: 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN107357142B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201710532273.4
申请日：2017-07-03
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种水系光致抗蚀剂剥离液及其制备方法，其组分按重量百分比计，包括:1～20％的烷氧基烷胺，5～50％的质子性溶剂，30～80％的非质子性溶剂，10～30％的水，0.01～1％的添加剂，0.005～0.1％的长碳链脂肪醇。该蚀刻液的制备方法为：按比例依次将烷氧基烷胺，质子性溶剂，非质子性溶剂加入到混配釜中，然后加入添加剂，长碳链脂肪醇和水，搅拌循环后过滤。该剥离液剥离能力强，能有效的去除光致抗蚀剂残留物，可以用于不同金属膜层的工艺，不腐蚀下层金属配线，剥离液使用寿命长，并且对人体和环境无害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118668231A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410879528.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC: C25B11/053 , G03F7/32 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09
Abstract: 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN117285985A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310198224.7
申请日：2023-03-03
Applicant: 四川格林达电子材料有限公司 , 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C11D1/00 , H01L21/02 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B13/00 , F26B21/00 , C11D1/66 , C11D3/28 , C11D3/04 , C11D3/60
Abstract: 本发明公开了低动态表面张力的绝缘层缓冲清洗液及其制备方法与应用，包括以下组分：氢氟酸1～10％、氟化铵15～30％、氟化氢铵1～10％、腐蚀抑制剂0.01～1％、非离子表面活性剂0.001～0.1％、其余组分为水，所有组分按重量百分比计总和为100％。本发明实现了具有动态表面张力低，起泡性低，消泡快，不腐蚀下层金属膜层，使用寿命长，使用成本低等优点。
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公开(公告)号：CN106479504B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610860875.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/06
Abstract: 本发明涉及一种用于ITO‑Ag‑ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法，其重量百分比组成如下：硝酸5～15％，硫酸5～15％，醋酸5～25％，添加剂0.01～1％，余量为水，所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中，然后加入添加剂和余量高纯水，搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强，蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料，不含磷酸，蚀刻液黏度低，蚀刻过程中药液带出量少，蚀刻液寿命长，有利于降低蚀刻液的成本。
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公开(公告)号：CN219695655U
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202320595039.7
申请日：2023-03-24
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: G05D7/06
Abstract: 本发明公开了一种高粘度高纯液体的自动连续精准添加装置，至少包括：加料机构，包括进料管、加料管和出料管；气压供给机构，包括排气管、盘管和气体压出组件；所述排气管连接于所述加料管；所述盘管和所述气体压出组件均设置于所述排气管内，所述盘管的一端连接所述气体压出组件，所述盘管的另一端延伸至所述排气管外；红外液位控制机构，设置于所述加料管外壁，用于液位控制；驱动机构，包括密封箱、电机和缠绕辊；所述密封箱内设置所述电机，所述电机的输出轴上连接所述缠绕辊，所述缠绕辊上缠绕所述盘管。本实用新型能够实现添加过程的自动化、连续化，过程精细可控，同时保证了半导体湿电子化学品产品的洁净度要求。
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公开(公告)号：CN221637352U
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202323422016.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: B01D1/22 , C07C209/86 , C07C211/63 , B01D1/30 , B01D3/10
Abstract: 本实用新型公开了一种固体四甲基氢氧化铵制备装置，包括降膜蒸发器和降膜浓缩器，所述降膜蒸发器的输入端连接原料注入管，所述降膜蒸发器的输出端连接所述降膜浓缩器的输入端，还包括真空装置，所述降膜蒸发器与降膜浓缩器分别与所述真空装置相连接；所述降膜浓缩器的输出端通过加热蒸汽管道连接片碱机的输入端。与现有技术相比，使用的真空连续蒸发浓缩制备固体四甲基氢氧化铵装置，实现在真空条件下连续制备，可以减少能耗和提高制备效率；在真空条件下通过降膜蒸发和浓缩，可以实现低温蒸馏脱水，降低沸点，快速进行溶液浓缩，可避免高温条件下四甲基氢氧化铵原料的分解，且能够降低蒸汽能耗。
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