一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法

    公开(公告)号:CN111440613A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201911250769.8

    申请日:2019-12-09

    Abstract: 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法,所述蚀刻液包括18~25%重量份电子级四甲基氢氧化铵,3~10%重量份电子级四乙基氢氧化铵,1.3~2.8%重量份添加剂,0.01~0.2%重量份表面活性剂和剩余组分高纯水,上述各组分重量份总和为100%,其中所述添加剂包括1~2%重量份挥发剂和0.3~0.8%重量份催化剂,所述催化剂包括0.1~0.3%重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2~0.5%重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水,并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。

    一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法

    公开(公告)号:CN111440613B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN201911250769.8

    申请日:2019-12-09

    Abstract: 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法,所述蚀刻液包括18~25%重量份电子级四甲基氢氧化铵,3~10%重量份电子级四乙基氢氧化铵,1.3~2.8%重量份添加剂,0.01~0.2%重量份表面活性剂和剩余组分高纯水,上述各组分重量份总和为100%,其中所述添加剂包括1~2%重量份挥发剂和0.3~0.8%重量份催化剂,所述催化剂包括0.1~0.3%重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2~0.5%重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水,并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。

    超重力精馏回收剥离液中有机组分的系统

    公开(公告)号:CN208493283U

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201820818933.5

    申请日:2018-05-30

    Abstract: 本实用新型涉及一种超重力精馏回收剥离液中有机组分的系统,所述系统包括原料罐,吸附槽、第一压力泵、第一级超重力精馏机、第一冷凝器、第一冷凝罐、第二压力泵、第二级超重力精馏机、沉降槽、过滤器、第三压力泵、第二冷凝器、第二冷凝罐、第四压力泵,第三级超重力精馏机、第五压力泵,第三冷凝器、成品罐和第六压力泵。本实用新型的系统通过三级超重力精馏机联动解决了光刻胶影响传质效率和易残留黏附于超重力精馏机中的问题,同时能够有效去除水分等低沸点物质,实现有多组分有机成分的分离,且设备体积小、工艺简单、能耗和成本低,循环工作效率高,有机组分回收率高。

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