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公开(公告)号：CN114280901B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210076546.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低动态表面张力的高精细抗蚀剂剥离液组合物及其制备方法，包括2～8%重量份有机胺，25～70%重量份质子性有机溶剂，25～70%重量份非质子性有机溶剂，0.3～3%重量份添加剂，0.1～0.5%重量份表面活性剂；上述各组分总重量份之和为100%。制备方法包括：S1：加入非质子性有机溶剂；S2：不断搅拌，加入质子性有机溶剂；S3：不断搅拌，加入有机胺，并控制温度在40℃以内；S4：不断搅拌，加入添加剂和表面活性剂，并循环3h以上得到混合液；S5：将混合液采用过滤器进行循环过滤，得到成品剥离液组合物。本发明剥离性能好，有利于增强剥离液对于抗蚀剂的溶解和清洗性能，保证剥离液对于Cu制程和Al制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN119781262A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510243258.2
申请日：2025-03-03
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 合肥格林达电子材料有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种兼容性高精细抗蚀剂剥离液组合物，包括有机胺，质子性有机溶剂，非质子性有机溶剂，添加剂和表面活性剂；所述添加剂包括Al缓蚀剂、金属电位调节剂和表面亲水性改善剂；本发明抗蚀剂剥离液组合物成分环保，所用有机胺对于光刻胶攻击作用强，剥离性能好，质子性有机溶剂和非质子性有机溶剂的组合使用有利于增强剥离液对于光刻胶的溶解和清洗性能，降低剥离和水洗过程中光刻胶的析出，提高药液使用寿命。三类添加剂之间存在较好的协同作用，剥离和水洗过程中光刻胶不易黏附在ITO等制程层表面，剥离液对Cu膜层或Al膜层均无腐蚀，保证剥离液对于Cu制程、Al制程和ITO制程等多制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111440613A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201911250769.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00
Abstract: 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114280901A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210076546.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低动态表面张力的高精细抗蚀剂剥离液组合物及其制备方法，包括2～8%重量份有机胺，25～70%重量份质子性有机溶剂，25～70%重量份非质子性有机溶剂，0.3～3%重量份添加剂，0.1～0.5%重量份表面活性剂；上述各组分总重量份之和为100%。制备方法包括：S1：加入非质子性有机溶剂；S2：不断搅拌，加入质子性有机溶剂；S3：不断搅拌，加入有机胺，并控制温度在40℃以内；S4：不断搅拌，加入添加剂和表面活性剂，并循环3h以上得到混合液；S5：将混合液采用过滤器进行循环过滤，得到成品剥离液组合物。本发明剥离性能好，有利于增强剥离液对于抗蚀剂的溶解和清洗性能，保证剥离液对于Cu制程和Al制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN111440613B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911250769.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C09K13/00
Abstract: 本发明涉及一种TMAH系各向异性硅蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液包括18～25％重量份电子级四甲基氢氧化铵，3～10％重量份电子级四乙基氢氧化铵，1.3～2.8％重量份添加剂，0.01～0.2％重量份表面活性剂和剩余组分高纯水，上述各组分重量份总和为100％，其中所述添加剂包括1～2％重量份挥发剂和0.3～0.8％重量份催化剂，所述催化剂包括0.1～0.3％重量份调整蚀刻速度的催化剂、0.2～0.5％重量份改善硅表面平整度的催化剂。其制备方法包括在混配釜中加入电子级四甲基氢氧化铵、在不断搅拌条件下加入电子级四乙基氢氧化铵、添加剂、表面活性剂和余量水，并循环过滤3h以上。本发明制备的一种TMAH系各向异性硅蚀刻液具有较好的蚀刻精细度、蚀刻速率及蚀刻后硅片表面平整度。
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公开(公告)号：CN219518607U
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202320301057.X
申请日：2023-02-24
Applicant: 四川格林达电子材料有限公司 , 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: B01F33/81 , B01F35/71 , B01F35/75 , B01F35/213 , B01F35/221 , B01F35/83
Abstract: 本实用新型公开了一种高效连续的有机系光刻胶剥离液制备系统，至少包括：有机胺储罐、第一混配罐、中间原料储罐、第一溶剂储罐、第二溶剂储罐、第二混配罐、过滤器和成品储罐。本实用新型的有机系光刻胶剥离液制备系统简单高效，传热效率高；通过将高粘度液体添加剂原料与有机胺和第一溶剂原材料先行混配成中间原料，且中间原料混配过程和成品制备过程可以同步进行，大大提高剥离液的生产配制效率，提升剥离液制备系统的高效性、连续性和有效物质混合均匀性，且装置简单，成本低。
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公开(公告)号：CN216726689U
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202220176752.3
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种高效连续的电子级氨水制备系统，包括液氨罐，所述液氨罐通过管道连接缓冲罐，所述缓冲罐的另一端通过管道连接水洗单元，所述水洗单元的另一端通过管道连接吸收罐，所述水洗单元靠近所述缓冲罐的一端还连接有废液处理单元，所述废液处理单元的另一端连接污水处理系统，所述吸收罐的另一端通过管道并联连接所述水洗单元和成品单元，所述管道均设置有阀门。本实用新型实现电子级氨水制备系统的简单化、高效化、连续化。
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公开(公告)号：CN212269760U
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202020720676.9
申请日：2020-05-06
Applicant: 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC: C02F9/10
Abstract: 本实用新型是一种从剥离液废液中回收有机溶剂和光刻胶的装置，包括原料罐，所述的原料罐通过管道依次连接有第一过滤器、吸附装置、多级精馏装置、多级过滤装置和污水处理系统，所述的多级过滤装置与第一过滤器连接，解决目前剥离液废液回收过程中设备投入高，难以应对复杂组成剥离液废液的问题，不仅减少面板厂废液废水处理的压力和费用，而且能够有效降低剥离液成本，从而达到了一个循环经济的目的。
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