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公开(公告)号：CN119710522A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311279776.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种硼化锆涂层及其制备方法，其中一种制备方法为对硼化锆粉体依次进行粒径分级优化处理，得到粒径分布为D50
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公开(公告)号：CN119710521A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311274048.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 上海核工程研究设计院股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种硼化锆涂层及其制备方法和应用，其中一种制备方法为ZrO2粉体、H3BO3粉体和C粉组成的混合物，经过脱水和球磨处理后，在1900℃下反应3‑5h，获得一次粒径小于10μm的硼化锆粉体；采用低压等离子喷涂技术，在工作气压为400～800mbar，喷枪移动速率为500‑700mm/s，喷涂遍数为6‑8遍下，将所述一次粒径小于10μm的硼化锆粉体沉积在基体上，可形成5μm～20μm硼化锆薄涂层。本发明通过对硼化锆粉体进行合成条件控制，并适配相应的等离子喷涂工艺，获得的硼化锆薄涂层与目前商用的磁控溅射制备10B富集的ZrB2涂层相比，该涂层可以通过更低的10B富集度实现相同功能，同时具备显著的成本优势，从而实现等离子喷涂工艺在整体型可燃毒物制备硼化锆涂层方向的应用。
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公开(公告)号：CN117926051B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410323962.4
申请日：2024-03-21
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C22C1/02 , C22C28/00 , B22D11/06 , B22D11/117 , G21F1/08
Abstract: 本发明提供一种中子吸收用钆锆合金带及制备方法，属于中子吸收材料技术领域，制备方法包括：将高纯钆和高纯锆置于真空熔炼甩带炉的熔炼室并抽真空，再将熔炼室温度升高至1350‑1450℃进行合金熔炼，得到Gd‑Zr合金液；将Gd‑Zr合金液转移至保温包的喷包内；打开喷包底部的喷嘴，在惰性气氛保护下，Gd‑Zr合金液从喷嘴缝处以2‑10 kg/min的流量均匀流出，至喷嘴下方转速为500‑1500 r/min的冷却铜辊表面，形成厚度约为60‑70μm，宽度为200~650 mm的Gd‑Zr合金带，得到中子吸收用钆锆合金带。与现有中子吸收合金带的制备过程（包括熔炼、锻造、热轧、冷轧、退火等工序）比较，具有过程简单、流程短、生产周期短以及成品率高的优点，在中子分析、放射医学、核工业等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116926394B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311197624.2
申请日：2023-09-18
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种高中子吸收率钆铌合金带及制备方法和应用，属于中子准直谱仪技术领域，所述钆铌合金带由高纯钆和高纯铌组成，其中，所述高纯钆的质量占比为50%～90%。本发明通过成分设计与熔炼、锻造、热轧、冷轧、去应力退火等制备步骤，以及各步工艺参数的设置，获得厚度精确可控，表面质量优良的钆铌合金带，其厚度为0.1 mm～1 mm，抗拉强度高于160 MPa，中子吸收率可达80%以上，在满足使用性能的前提下兼具较长的使用寿命，从根本上解决了现有中子准直器用吸收材料的涂层易脱落、易老化的问题，在中子分析、放射医学、核工业等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117926051A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410323962.4
申请日：2024-03-21
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C22C1/02 , C22C28/00 , B22D11/06 , B22D11/117 , G21F1/08
Abstract: 本发明提供一种中子吸收用钆锆合金带及制备方法，属于中子吸收材料技术领域，制备方法包括：将高纯钆和高纯锆置于真空熔炼甩带炉的熔炼室并抽真空，再将熔炼室温度升高至1350‑1450℃进行合金熔炼，得到Gd‑Zr合金液；将Gd‑Zr合金液转移至保温包的喷包内；打开喷包底部的喷嘴，在惰性气氛保护下，Gd‑Zr合金液从喷嘴缝处以2‑10kg/min的流量均匀流出，至喷嘴下方转速为500‑1500r/min的冷却铜辊表面，形成厚度约为60‑70μm，宽度为200~650mm的Gd‑Zr合金带，得到中子吸收用钆锆合金带。与现有中子吸收合金带的制备过程（包括熔炼、锻造、热轧、冷轧、退火等工序）比较，具有过程简单、流程短、生产周期短以及成品率高的优点，在中子分析、放射医学、核工业等领域具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111320478B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010234099.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/575 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
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公开(公告)号：CN109369180B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811508783.9
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了属于陶瓷靶材技术领域的一种高密度HfO2靶材的制备方法。本发明利用碱性溶剂对HfO2粉体预处理，将预处理后粉体置于马弗炉、热压炉中烧结，然后粉碎、过筛，再置于热压炉中进行三段式热压烧结，最后随炉冷却，得到HfO2靶材；所得HfO2靶材外观呈均匀灰色，相对密度达到85％～95％，具有高强度、不易开裂的特点，适用于溅射制备光学薄膜。
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公开(公告)号：CN111393165A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010234167.X
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/30
Abstract: 本发明公开了一种镀膜用氧化铈颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)以高纯氧化铈粉体为原料，向其中添加去离子水并进行造粒处理，得到结合紧密的氧化铈片状物；(2)将得到的片状物研磨破碎，并筛分出＜0.1mm的预处理粉体；(3)将所得预处理粉体装入胶套中进行冷等静压成型为坯体。(4)将所得坯体按照如下烧结工艺进行烧结：2-3小时升温到300-400℃保温1h-2h，2小时升到600℃-800℃保温1h-2h，4小时升温到1000℃-1200℃保温1h-2h，4小时升温到1300℃保温1h-2h，2小时升温至1400℃保温1-2h，1小时升温到1450-1550℃保温3h-5h；(5)冷却得到氧化铈烧结坯料，将坯料进行破碎和筛分得到镀膜用氧化铈颗粒。该方法生产的氧化铈颗粒具有高纯度、高密度、低喷溅等优点。
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公开(公告)号：CN111320478A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010234099.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/575 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％-15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/-1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
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公开(公告)号：CN116926394A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311197624.2
申请日：2023-09-18
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种高中子吸收率钆铌合金带及制备方法和应用，属于中子准直谱仪技术领域，所述钆铌合金带由高纯钆和高纯铌组成，其中，所述高纯钆的质量占比为50%～90%。本发明通过成分设计与熔炼、锻造、热轧、冷轧、去应力退火等制备步骤，以及各步工艺参数的设置，获得厚度精确可控，表面质量优良的钆铌合金带，其厚度为0.1 mm～1 mm，抗拉强度高于160 MPa，中子吸收率可达80%以上，在满足使用性能的前提下兼具较长的使用寿命，从根本上解决了现有中子准直器用吸收材料的涂层易脱落、易老化的问题，在中子分析、放射医学、核工业等领域具有良好的应用前景。
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