定向排布TRISO颗粒的燃料芯体制备方法及固定装置

    公开(公告)号:CN118658649B

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411139488.6

    申请日:2024-08-20

    Abstract: 本发明属于放射性污染物去污染、防护技术领域,具体涉及一种定向排布TRISO颗粒的燃料芯体制备方法及固定装置。所述方法包括如下步骤,S1:将基体粉放置于设定位置,通过压机预压得到平面素坯;S2:将带有沿设定排列方式布置的TRISO颗粒的固定装置放置在平面素坯上方,所述TRISO颗粒与平面素坯间无阻隔地设置且间距不大于所述TRISO颗粒的直径;S3:利用压机对所述固定装置远离所述平面素坯的一侧加压,使得所述TRISO颗粒脱离固定装置后定向嵌入所述平面素坯;S4:重复步骤S1‑S3,获得多层含有TRISO颗粒的燃料素坯;S5:调整燃料素坯至设定形状后,热压烧结燃料素坯得到燃料芯块。

    定向排布TRISO颗粒的燃料芯体制备方法及固定装置

    公开(公告)号:CN118658649A

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202411139488.6

    申请日:2024-08-20

    Abstract: 本发明属于放射性污染物去污染、防护技术领域,具体涉及一种定向排布TRISO颗粒的燃料芯体制备方法及固定装置。所述方法包括如下步骤,S1:将基体粉放置于设定位置,通过压机预压得到平面素坯;S2:将带有沿设定排列方式布置的TRISO颗粒的固定装置放置在平面素坯上方,所述TRISO颗粒与平面素坯间无阻隔地设置且间距不大于所述TRISO颗粒的直径;S3:利用压机对所述固定装置远离所述平面素坯的一侧加压,使得所述TRISO颗粒脱离固定装置后定向嵌入所述平面素坯;S4:重复步骤S1‑S3,获得多层含有TRISO颗粒的燃料素坯;S5:调整燃料素坯至设定形状后,热压烧结燃料素坯得到燃料芯块。

    一种利用重水堆生产高比活度钴放射源的钴调节棒芯体

    公开(公告)号:CN114613525B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202110740804.5

    申请日:2021-06-30

    Abstract: 本发明的目的在于公开一种利用重水堆生产高比活度钴放射源的钴调节棒芯体,包括若干组钴棒束部件,所述钴棒束部件包括一贯穿全长的锆合金中心棒和钴元件;与现有技术相比,有效提升最终封装源内单位体积钴源容量,大幅度降低比活度需求近30%,只需要比活度达到220Ci/g即可满足医用伽马刀设备需求,使依托重水堆在一个大修周期(24‑26个月)内生产满足医用需求的高比活度钴源具备可行性,大幅度提升钴源生产效率,降低钴源生产成本;采用小尺寸钴芯体镀镍技术,对辐照后的芯体进行有效保护,防止放射性钴源对热室设施造成沾污,降低放射性钴源对后续操作环节的放射性污染,实现本发明的目的。

    一种碳化硅基TRISO复合燃料的制造方法

    公开(公告)号:CN117238547A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311433499.0

    申请日:2023-10-31

    Inventor: 尤䶮 朱丽兵 龚辛

    Abstract: 一种碳化硅基TRISO复合燃料的制造方法,包括以下步骤:提供SiC纤维并在SiC纤维表面制备热解碳界面层,编织为SiC多孔编织体;制备SiC浆料,并流延制备SiC生片;利用SiC浆料浸渍多孔编织体,将多孔编织体铺覆在SiC生片上,在多孔编织体上铺设TRISO颗粒并覆盖另一层SiC生片层压固定得到SiC‑TRISO颗粒复合层,将SiC‑TRISO颗粒复合层堆叠至设计厚度,热压烧结得到碳化硅基TRISO复合燃料成品。该方法能够解决复合燃料中TRISO颗粒分布不均的问题,制备具有高致密度和高强度的复合燃料,提高核反应堆燃料的安全性。

    上管座
    9.
    发明公开
    上管座 审中-实审 转让

    公开(公告)号:CN117198567A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311406109.0

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 一种上管座,用于减小控制棒的磨损。上管座包括边框以及格板;边框围合中心通道,并设置凸台,所述凸台向内侧突伸,遮挡部分所述中心通道;格板位于所述中心通道,与所述凸台轴向相对并具有轴向间隔,设置流水孔阵列和控制棒插孔阵列;其中,所述凸台位于所述控制棒插孔阵列的边界的外侧,所述流水孔阵列包括第一流水孔阵列和第二流水孔阵列,所述第一流水孔阵列位于所述控制棒插孔阵列的边界的内侧,所述第二流水孔阵列位于所述控制棒插孔阵列的边界的外侧,所述第二流水孔阵列的流通面积小于所述第一流水孔阵列的流通面积。

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