一种中子吸收用钆锆合金带及制备方法

    公开(公告)号:CN117926051B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410323962.4

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明提供一种中子吸收用钆锆合金带及制备方法,属于中子吸收材料技术领域,制备方法包括:将高纯钆和高纯锆置于真空熔炼甩带炉的熔炼室并抽真空,再将熔炼室温度升高至1350‑1450℃进行合金熔炼,得到Gd‑Zr合金液;将Gd‑Zr合金液转移至保温包的喷包内;打开喷包底部的喷嘴,在惰性气氛保护下,Gd‑Zr合金液从喷嘴缝处以2‑10 kg/min的流量均匀流出,至喷嘴下方转速为500‑1500 r/min的冷却铜辊表面,形成厚度约为60‑70μm,宽度为200~650 mm的Gd‑Zr合金带,得到中子吸收用钆锆合金带。与现有中子吸收合金带的制备过程(包括熔炼、锻造、热轧、冷轧、退火等工序)比较,具有过程简单、流程短、生产周期短以及成品率高的优点,在中子分析、放射医学、核工业等领域具有良好的应用前景。

    一种中子吸收用钆锆合金带及制备方法

    公开(公告)号:CN117926051A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410323962.4

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明提供一种中子吸收用钆锆合金带及制备方法,属于中子吸收材料技术领域,制备方法包括:将高纯钆和高纯锆置于真空熔炼甩带炉的熔炼室并抽真空,再将熔炼室温度升高至1350‑1450℃进行合金熔炼,得到Gd‑Zr合金液;将Gd‑Zr合金液转移至保温包的喷包内;打开喷包底部的喷嘴,在惰性气氛保护下,Gd‑Zr合金液从喷嘴缝处以2‑10kg/min的流量均匀流出,至喷嘴下方转速为500‑1500r/min的冷却铜辊表面,形成厚度约为60‑70μm,宽度为200~650mm的Gd‑Zr合金带,得到中子吸收用钆锆合金带。与现有中子吸收合金带的制备过程(包括熔炼、锻造、热轧、冷轧、退火等工序)比较,具有过程简单、流程短、生产周期短以及成品率高的优点,在中子分析、放射医学、核工业等领域具有良好的应用前景。

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