公开(公告)号：CN119874378A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510059618.3

申请日：2025-01-15

Applicant: 无锡菲兰爱尔空气质量技术有限公司

Inventor： 陈永强 ,  胡林浩 ,  谢学燕 ,  肖建华

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/577 ,  C04B41/87 ,  B32B9/04 ,  B32B7/027 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B37/24 ,  B32B3/26 ,  B32B33/00 ,  E04B1/92 ,  E04B9/04 ,  E04C2/284 ,  E04C2/30 ,  E04C2/38

Abstract: 本发明涉及辐射空调系统和热管理技术领域，尤其涉及一种基于碳化硅复合材料的辐射板及其制备方法，方法包括：准备上半片碳化硅复合材料和下半片碳化硅复合材料；将上半片碳化硅复合材料和下半片碳化硅复合材料通过专用模具进行压制处理；将片材A和片材B进行叠放处理、预压处理和烧结处理，得到内置有圆形管道结构的复合板坯体；对复合板坯体进行表面处理，得到复合板；采用物理气相沉积技术，在复合板的表面涂覆一层红外吸收膜，得到辐射板。本申请的辐射板具有结构简单、重量较小、厚度较薄、换热效率高的优势，通过辐射板内置的管道结构，不仅能够大幅度提高辐射板与冷媒之间的接触面积和换热效果，还能够降低辐射板管路系统的阻力。

公开(公告)号：CN119822843A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510103052.X

申请日：2025-01-22

Applicant: 北京亦盛精密半导体有限公司

Inventor： 姚瑶 ,  张慧 ,  金昌民 ,  李靖晗 ,  聂中原 ,  张浩然

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本申请涉及半导体零部件材料的技术领域，具体涉及一种高纯低电阻率β相碳化硅材料及其制备方法和应用。具体为：将水洗干净的稻壳浸泡于弱酸性水溶液中，使用前置于酸性水溶液中沸煮，清洗烘干；将烘干所得稻壳低温炭化，冷却后球磨过筛；进一步与碱水溶液水浴加热搅拌，过滤；滤液为硅酸盐水溶液B；干燥滤渣D；将滤渣D保温，冷却后洗涤，得到稻壳碳E，干燥；将硅酸盐水溶液B和稻壳碳E进行球磨，干燥至恒重，得到疏松块体F；将疏松块体F灼烧，得到β‑SiC粉末；将β‑SiC粉末超细碳化硅粉末混合烧结，即得β‑SiC烧结体。本申请制得碳化硅材料能够满足半导体制造过程所需的高纯度、高密度要求。

公开(公告)号：CN119263846A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202310817569.6

申请日：2023-07-05

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 黄政仁 ,  谭周茜 ,  黄毅华 ,  沙闻浩 ,  周雅斌 ,  张明康

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明涉及一种高强度SiC基复合陶瓷材料的制备方法，包括：(1)将SiC粉、WC粉、铝源和碳源进行混合，得到混合粉末；(2)将混合粉末进行热压烧结，得到所述高强度SiC基复合陶瓷材料。

公开(公告)号：CN117986029A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202310005597.8

申请日：2023-01-04

Applicant: II-VI特拉华有限公司

Inventor： 山姆·萨拉莫内 ,  肖恩·麦卡纳尼 ,  格伦·埃文斯

IPC: C04B37/00 ,  C04B35/575

Abstract: 用于接合反应键合碳化硅部件的含金刚石的粘合剂。一种环氧基胶包含环氧材料和固体组分，所述固体组分包括金刚石粉末和碳化硅颗粒。所述粘合剂材料可用于形成将反应键合碳化硅部件键合在一起的反应键合碳化硅。本公开还涉及一种由预成型件组装产品的方法，所述方法包括将包含金刚石粉末的粘合剂层定位在相对的预成型件表面之间，使所述层碳化，以及将熔融硅渗透在所述预成型件和所述碳化层中，以将所述预成型件转化成相应的反应键合碳化硅部件，并且将所述碳化层转化成具有减少量的残留硅的反应键合碳化硅键合区域。还公开了一种组装产品，所述组装产品包括至少两个通过处理含金刚石的粘合剂而键合在一起的反应键合碳化硅部件。

公开(公告)号：CN115724664A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211347894.2

申请日：2022-10-31

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 姚秀敏 ,  黄诗杰 ,  拜佳霖 ,  黄政仁 ,  刘学建

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种两步烧结快速制备MCMBs/SiC复合材料的方法包括：(1)将液态聚碳硅烷、碳化硅粉体、中间相碳微球MCMBs和碳化硼粉体依次加入有机溶剂中，经球磨混合均匀、烘干和过筛，得到原料粉体；(2)将所得原料粉体在真空或保护性气氛中、600～1200℃下进行热解处理0.5～2小时，得到热解粉体；(3)将所得热解粉体置于SPS模具中，采用两步烧结法进行放电等离子烧结，制得MCMBs/SiC复合材料；所述两步烧结法包括：第一步从室温升温至1400℃，第二步再从1400℃至烧结温度。

公开(公告)号：CN115716759A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211316573.6

申请日：2022-10-26

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 汪洋 ,  窦强 ,  杨建 ,  李权

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/575 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明公开了一种具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜及其制备方法，SiC纳米线呈核壳结构，其包括内层的SiC芯层以及包覆在SiC芯层外的SiO2层；其多孔SiC纳米线薄膜由若干SiC纳米线在同一平面内上下交错缠绕并相互无序搭接，且在相互搭接处由SiO2层相互熔合而成。本发明中的多孔SiC纳米线薄膜由SiC纳米线相互无序搭接而成，具有非常高的强度和柔韧性；该SiC纳米线薄膜无分层，SiC纳米线在同一平面内上下交错缠绕，在相互搭接处由SiO2层相互熔合而成，无明显界面。本发明中的超声分散和真空抽滤成膜技术能有效保障SiC纳米线均匀分布，解决连接层纳米线分布不均匀的问题。

公开(公告)号：CN114105646B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202111562121.1

申请日：2021-12-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  彭浩 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  周玉

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622

Abstract: 原位SiC‑BN(C)‑Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法，它涉及机械合金化结合反应热压烧结技术。它要解决现有陶瓷材料制备中存在加入润滑相会导致其力学性、可靠性和抗破坏性能变差的问题。方法1：h‑BN粉、石墨、立方硅粉和Ti粉球磨制备SiBCN‑xwt％Ti粉体，热压烧结。方法2：制备NB21混合粉，加立方硅粉、h‑BN粉和石墨，得SiBCN‑xwt％NB21粉体，热压烧结炉。方法3：TiN和TiB2球磨后加立方硅粉、h‑BN粉和石墨继续球磨，得非晶/纳米晶复合粉体，热压烧结炉。采用机械合金化结合热压烧结技术，制备具有优异力学和摩擦学性能及高温抗氧化性能的陶瓷；适用于制备纳米晶复相陶瓷。

公开(公告)号：CN115240798A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210933974.X

申请日：2022-08-04

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 何宗倍 ,  王子圳 ,  李统业 ,  曾强 ,  潘小强 ,  姚力夫 ,  邱绍宇

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/23 ,  G06F30/25 ,  G06F30/27 ,  G06N3/08 ,  C04B35/575 ,  C04B35/622 ,  G06F111/04 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种全陶瓷微封装弥散燃料烧结工艺的模拟方法，包括以下步骤：S1、制备全陶瓷微封装弥散燃料芯块，测定燃料芯块的密度，并燃料芯块的微结构与晶粒尺寸；S2、基于粉末塑性屈服准则模型获得坯体开始烧结前初始压制成型后的密度分布，并计算获得塑性应变率；S3、基于弹性应变率、塑性应变率、热应变率和烧结应变率建立描述全陶瓷微封装弥散燃料烧结过程的热粘弹性本构唯象模型；S4、建立有限元模型；S5、将步骤S3构建的热粘弹性本构唯象模型带入有限元模型，进行密度和应力场预测。本发明不仅实现对热压烧结过程中的微结构和应力变化的模拟，且充分考虑了影响应变的所有因素，提供了模拟的准确性。

公开(公告)号：CN115196967A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210790846.4

申请日：2022-07-05

Applicant: 烟台哈尔滨工程大学研究院

Inventor： 姜风春 ,  果春焕 ,  杨棣 ,  徐才毅 ,  高华兵 ,  曹剑武

IPC: C04B35/575 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及放电等离子烧结制备纳米粉体改性碳化硅复相陶瓷的方法，属于装甲防护材料技术领域，包括以下步骤：S1原料初混；S2球磨混料；S3喷雾造粒；S4预压成型；S5装配烧结；依据本方法制备的纳米粉体改性碳化硅复相陶瓷为纳米粉体改性碳化硅‑碳化硼复相陶瓷或纳米粉体改性碳化硅‑石墨烯复相陶瓷。本发明采用的放电等离子烧结技术，制备快速，工艺简单，可在较低温度，较短时间内制得晶粒细小均匀，高强韧的复相陶瓷，解决了其他烧结技术中由于烧结温度过高、保温时间过长致使纳米晶粒过度长大的问题。

公开(公告)号：CN114644528A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210326709.5

申请日：2022-03-30

Applicant: 江苏东润安全科技有限公司

Inventor： 李桂林 ,  曹海建 ,  汪民 ,  徐维军

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/575 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种硬质材料的制备方法，属于防弹材料技术领域。本发明在硬质材料中加入SiC纤维毡和SiC纤维平纹布，形成陶瓷‑SiC纤维毡、陶瓷‑SiC纤维平纹布和SiC纤维平纹布‑SiC纤维毡的异相结构，使裂纹的能量在扩展到两相之间时被消耗，阻止了裂纹的扩展，从而使硬质材料保持完整，不发生碎裂。本发明通过针刺成型将SiC纤维毡针刺到SiC纤维平纹布中，使硬质材料具有良好的整体性，从而使硬质材料在受到子弹冲击时，能更好地将冲击能量分散到硬质材料的各个部分，保证硬质材料不碎裂。