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公开(公告)号：CN116854477B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310813682.7
申请日：2023-07-04
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622
摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件。该碳化硅陶瓷包括依次叠加的高纯度碳化硅绝缘薄层和含碳高导电薄层；所述碳化硅陶瓷的顶层和底层均为所述高纯度碳化硅绝缘薄层；所述高纯度碳化硅绝缘薄层中，碳硅摩尔比为0.8‑2，厚度为0.1‑10mm；所述含碳高导电薄层中，碳硅摩尔比为2‑15，厚度为0.05‑3mm。利用本申请的制备方法能够制得高纯度、高致密度、各向异性电阻率的碳化硅陶瓷，碳化硅陶瓷的电阻率各向异性指数高达101.993。
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公开(公告)号：CN115896935A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211620203.1
申请日：2022-12-15
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种降低SiC外延层缺陷密度的制备方法，包括如下步骤：（a）将偏角Si衬底放置到反应室中，并抽真空；（b）将反应室升温，向反应室内通入氢气和原料气体，保持反应室内压力，生长SiC沉积外延层；（c）判断SiC沉积外延层是否达到所需厚度，如果未达到，则重复执行（b）；如果达到，则执行步骤（d）；（d）当达到设定的外延层厚度后，停止原料气体供应，在反应室内继续通入氢气，保温后再进行降温；（e）当温度降低到400‑600℃后，进行惰性气体进行吹扫、抽真空，然后自然冷却到室温，得到偏角Si衬底SiC外延层。本申请采用偏角Si衬底进行沉积SiC，降低了SiC外延层的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN111468464B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202010411894.9
申请日：2020-05-15
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种清洗设备，包括清洗槽、位于清洗槽内部的底盘、位于底盘正上方的超声波清洗器、过滤罐、第一阀门、第二阀门、位于过滤罐上方的硬管，底盘与清洗槽的槽底之间安装有多个支撑板，超声波清洗器的下部设置有槽口朝下设置的超声波清洗槽，超声波清洗槽的槽底中央设置有第一贯穿孔，超声波清洗器的上部安装有与第一贯穿孔相连通的管接头，硬管与管接头之间设置有软管，过滤罐包括罐体、设置在罐体内部的滤芯、安装在罐体灌口处的罐盖。该清洗设备的操作简单，清洗方便，能够有效对硅电极在小孔加工过程中形成的半成品进行彻底清洗，避免硅泥等杂质滞留在小孔内壁。
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公开(公告)号：CN118006294A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410203531.4
申请日：2024-02-23
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
IPC分类号： C09J183/16 , C09J1/02 , C09J11/04 , C09J9/02 , C09J5/00
摘要： 本申请公开了一种连接碳化硅与金属件的高导电粘结剂及粘结方法，涉及粘结剂的技术领域，其包括将b胶主要涂敷在碳化硅表面，将a胶主要涂敷在铝电极表面；将碳化硅与铝电极搭接；将导电纤维缠绕于搭接处的外周，与a胶和b胶固化。本申请具有提高碳化硅与金属件之间的结合力的效果，能够避免现有技术中金属件与碳化硅之间开裂导致的失效问题，能够延长工件的使用寿命，具有良好的粘结力和导电性能，在保证金属件与碳化硅之间牢固连接的同时也能够满足金属件与碳化硅之间的导电需求。
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公开(公告)号：CN116789454B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310812352.6
申请日：2023-07-04
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/638
摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷的制备方法包括：造粒；成型；包膜；烧结；造粒步骤中：将碳化硅微粉95‑97份、高纯度酚醛树脂1‑1.5份、导热填料0.2‑1.3份以及碳化硼0.5‑1份混合均匀后，进行造粒，获得碳化硅粉粒；碳化硅微粉的纯度为95%以上；导热填料中，石墨烯、纳米碳管、炭黑和银粉的重量比为（0.2‑2）：（0.4‑1.8）：（0.5‑3.5）：（0.1‑1.2）；包膜步骤中，将成型后获得的陶瓷胚体包裹聚乙烯层。本申请通过同时在制备方法中添加导热填料和包裹聚乙烯膜，制得的碳化硅陶瓷低裂纹，具有更好的产品质量和稳定性。
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公开(公告)号：CN111468464A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010411894.9
申请日：2020-05-15
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种清洗设备，包括清洗槽、位于清洗槽内部的底盘、位于底盘正上方的超声波清洗器、过滤罐、第一阀门、第二阀门、位于过滤罐上方的硬管，底盘与清洗槽的槽底之间安装有多个支撑板，超声波清洗器的下部设置有槽口朝下设置的超声波清洗槽，超声波清洗槽的槽底中央设置有第一贯穿孔，超声波清洗器的上部安装有与第一贯穿孔相连通的管接头，硬管与管接头之间设置有软管，过滤罐包括罐体、设置在罐体内部的滤芯、安装在罐体灌口处的罐盖。该清洗设备的操作简单，清洗方便，能够有效对硅电极在小孔加工过程中形成的半成品进行彻底清洗，避免硅泥等杂质滞留在小孔内壁。
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公开(公告)号：CN116789454A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310812352.6
申请日：2023-07-04
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/638
摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷的制备方法包括：造粒；成型；包膜；烧结；造粒步骤中：将碳化硅微粉95‑97份、高纯度酚醛树脂1‑1.5份、导热填料0.2‑1.3份以及碳化硼0.5‑1份混合均匀后，进行造粒，获得碳化硅粉粒；碳化硅微粉的纯度为95%以上；导热材料中，石墨烯、纳米碳管、炭黑和银粉的重量比为（0.2‑2）：（0.4‑1.8）：（0.5‑3.5）：（0.1‑1.2）；包膜步骤中，将成型后获得的陶瓷胚体包裹聚乙烯层。本申请通过同时在制备方法中添加导热填料和包裹聚乙烯膜，制得的碳化硅陶瓷低裂纹，具有更好的产品质量和稳定性。
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公开(公告)号：CN118374792A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410470575.3
申请日：2024-04-18
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/32
摘要： 本申请涉及一种碳化硅气相沉积用混气、缓冲、均热一体化气罐，涉及化学气相沉积的技术领域。一种碳化硅气相沉积用混气、缓冲、均热一体化气罐，包括：罐体，其上下分别形成有进气预混区和气压缓冲区，该两个区之间通过第一隔板隔开，第一隔板的一侧开设有第一气孔；多个进气管，平行设置在罐体顶壁外侧，且均和进气预混区连通；多个第二隔板，由上至下间隔设置在气压缓冲区且均与第一隔板平行，每个第二隔板的一侧均设置第二气孔，第一气孔和与其相邻的第二气孔交错设置，相邻的第二气孔交错设置。加热部，包裹在罐体的外侧壁，且环绕进气预混区和气压缓冲区。该气罐为具有混气、缓冲、均热的一体结构，单气罐能同时达到混气、缓冲、均热效果。
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公开(公告)号：CN116803951B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202310891238.7
申请日：2023-07-19
申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , C04B37/00 , B33Y50/00 , C04B41/89 , B24B27/033 , B24B7/22
摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种高纯高电阻率碳化硅制件及其成型工艺。该工艺如下：将数字模型切片，并将切片形状分别化学气相沉积高纯高电阻率碳化硅薄片，再将沉积后的高纯高电阻率碳化硅薄片组装烧结得到目标制件。通过控制切片参数，将制件整体“化整为零”，分别沉积，在精确控制成型的基础上，极大地提升了化学气相沉积的制备效率。利用本申请的成型工艺制得的高纯高电阻率碳化硅制件具有高纯度（＞99.98%）、高密度（＞3.204g/cm3）、机加削减量低（0.4‑1%）、高硬度（3405HV）、6高电阻率（＞4.32×10 Ω·cm）等诸多优势，并具备碳化硅材料的耐磨、耐腐蚀、耐高温等本征特性。
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