公开(公告)号：CN116854477B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202310813682.7

申请日：2023-07-04

申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司

发明人： 李靖晗 ,  张慧 ,  王力 ,  李华民 ,  包根平

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622

摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件。该碳化硅陶瓷包括依次叠加的高纯度碳化硅绝缘薄层和含碳高导电薄层；所述碳化硅陶瓷的顶层和底层均为所述高纯度碳化硅绝缘薄层；所述高纯度碳化硅绝缘薄层中，碳硅摩尔比为0.8‑2，厚度为0.1‑10mm；所述含碳高导电薄层中，碳硅摩尔比为2‑15，厚度为0.05‑3mm。利用本申请的制备方法能够制得高纯度、高致密度、各向异性电阻率的碳化硅陶瓷，碳化硅陶瓷的电阻率各向异性指数高达101.993。

公开(公告)号：CN116854477A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310813682.7

申请日：2023-07-04

申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司

发明人： 李靖晗 ,  张慧 ,  王力 ,  李华民 ,  包根平

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622

摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种各向异性电阻率的碳化硅陶瓷及其制备方法、碳化硅薄片类制件。该碳化硅陶瓷包括依次叠加的高纯度碳化硅绝缘薄层和含碳高导电薄层；所述碳化硅陶瓷的顶层和底层均为所述高纯度碳化硅绝缘薄层；所述高纯度碳化硅绝缘薄层中，碳硅摩尔比为0.8‑2，厚度为0.1‑10mm；所述含碳高导电薄层中，碳硅摩尔比为2‑15，厚度为0.05‑3mm。利用本申请的制备方法能够制得高纯度、高致密度、各向异性电阻率的碳化硅陶瓷，碳化硅陶瓷的电阻率各向异性指数高达101.993。

公开(公告)号：CN116803951A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310891238.7

申请日：2023-07-19

申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司

发明人： 李靖晗 ,  张慧 ,  王力 ,  李华民 ,  包根平

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B37/00 ,  B33Y50/00 ,  C04B41/89 ,  B24B27/033 ,  B24B7/22

摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种高纯高电阻率碳化硅制件及其成型工艺。该工艺如下：将数字模型切片，并将切片形状分别化学气相沉积高纯高电阻率碳化硅薄片，再将沉积后的高纯高电阻率碳化硅薄片组装烧结得到目标制件。通过控制切片参数，将制件整体“化整为零”，分别沉积，在精确控制成型的基础上，极大地提升了化学气相沉积的制备效率。利用本申请的成型工艺制得的高纯高电阻率碳化硅制件具有高纯度（＞99.98%）、高密度（＞3.204g/cm3）、机加削减量低（0.4‑1%）、高硬度（3405HV）、高电阻率（＞4.32×106Ω·cm）等诸多优势，并具备碳化硅材料的耐磨、耐腐蚀、耐高温等本征特性。

公开(公告)号：CN118006294A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410203531.4

申请日：2024-02-23

申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司

发明人： 李华民 ,  张慧 ,  李靖晗 ,  包根平

IPC分类号： C09J183/16 ,  C09J1/02 ,  C09J11/04 ,  C09J9/02 ,  C09J5/00

摘要： 本申请公开了一种连接碳化硅与金属件的高导电粘结剂及粘结方法，涉及粘结剂的技术领域，其包括将b胶主要涂敷在碳化硅表面，将a胶主要涂敷在铝电极表面；将碳化硅与铝电极搭接；将导电纤维缠绕于搭接处的外周，与a胶和b胶固化。本申请具有提高碳化硅与金属件之间的结合力的效果，能够避免现有技术中金属件与碳化硅之间开裂导致的失效问题，能够延长工件的使用寿命，具有良好的粘结力和导电性能，在保证金属件与碳化硅之间牢固连接的同时也能够满足金属件与碳化硅之间的导电需求。

公开(公告)号：CN116789454B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310812352.6

申请日：2023-07-04

申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司

发明人： 李华民 ,  张慧 ,  王力 ,  李靖晗 ,  包根平

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷的制备方法包括：造粒；成型；包膜；烧结；造粒步骤中：将碳化硅微粉95‑97份、高纯度酚醛树脂1‑1.5份、导热填料0.2‑1.3份以及碳化硼0.5‑1份混合均匀后，进行造粒，获得碳化硅粉粒；碳化硅微粉的纯度为95%以上；导热填料中，石墨烯、纳米碳管、炭黑和银粉的重量比为（0.2‑2）：（0.4‑1.8）：（0.5‑3.5）：（0.1‑1.2）；包膜步骤中，将成型后获得的陶瓷胚体包裹聚乙烯层。本申请通过同时在制备方法中添加导热填料和包裹聚乙烯膜，制得的碳化硅陶瓷低裂纹，具有更好的产品质量和稳定性。

公开(公告)号：CN116789454A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310812352.6

申请日：2023-07-04

申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司

发明人： 李华民 ,  张慧 ,  王力 ,  李靖晗 ,  包根平

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷的制备方法包括：造粒；成型；包膜；烧结；造粒步骤中：将碳化硅微粉95‑97份、高纯度酚醛树脂1‑1.5份、导热填料0.2‑1.3份以及碳化硼0.5‑1份混合均匀后，进行造粒，获得碳化硅粉粒；碳化硅微粉的纯度为95%以上；导热材料中，石墨烯、纳米碳管、炭黑和银粉的重量比为（0.2‑2）：（0.4‑1.8）：（0.5‑3.5）：（0.1‑1.2）；包膜步骤中，将成型后获得的陶瓷胚体包裹聚乙烯层。本申请通过同时在制备方法中添加导热填料和包裹聚乙烯膜，制得的碳化硅陶瓷低裂纹，具有更好的产品质量和稳定性。

公开(公告)号：CN116803951B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202310891238.7

申请日：2023-07-19

申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司

发明人： 李靖晗 ,  张慧 ,  王力 ,  李华民 ,  包根平

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B37/00 ,  B33Y50/00 ,  C04B41/89 ,  B24B27/033 ,  B24B7/22

摘要： 本申请涉及陶瓷材料的技术领域，具体公开了一种高纯高电阻率碳化硅制件及其成型工艺。该工艺如下：将数字模型切片，并将切片形状分别化学气相沉积高纯高电阻率碳化硅薄片，再将沉积后的高纯高电阻率碳化硅薄片组装烧结得到目标制件。通过控制切片参数，将制件整体“化整为零”，分别沉积，在精确控制成型的基础上，极大地提升了化学气相沉积的制备效率。利用本申请的成型工艺制得的高纯高电阻率碳化硅制件具有高纯度（＞99.98%）、高密度（＞3.204g/cm3）、机加削减量低（0.4‑1%）、高硬度（3405HV）、6高电阻率（＞4.32×10 Ω·cm）等诸多优势，并具备碳化硅材料的耐磨、耐腐蚀、耐高温等本征特性。

公开(公告)号：CN117067372A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311049558.4

申请日：2023-08-18

申请人： 北京亦盛精密半导体有限公司

发明人： 李靖晗 ,  张慧 ,  王力 ,  李华民 ,  包根平

IPC分类号： B28B11/08

摘要： 本申请涉及碳化硅修补领域，具体公开了一种高纯碳化硅制件的修补方法。该修补方法包括：将待修补制件置于腔室内，待腔室内气压稳定后，在待修补制件的底部施加热源，并在待修补制件的顶部施加两股载气气流，以在待修补制件的沉积方向上形成梯度温度场；其中，载气气流包括平行于待修补制件表面方向的吹扫载气气流、和垂直于待修补制件表面方向的反应物载气气流；待梯度温度场稳定后，在反应物载气气流中加入硅/碳源反应气进行碳化硅沉积，并逐渐提高载气气流的温度，沉积完后取出进行热处理及表面打磨，热处理后得到碳化硅制件。该方法能够减少沉积填充尖锐凹陷/裂纹时的尖端空鼓现象，并减少修补后制件表面的多余沉积。