本申请公开了一种降低SiC外延层缺陷密度的制备方法，包括如下步骤：（a）将偏角Si衬底放置到反应室中，并抽真空；（b）将反应室升温，向反应室内通入氢气和原料气体，保持反应室内压力，生长SiC沉积外延层；（c）判断SiC沉积外延层是否达到所需厚度，如果未达到，则重复执行（b）；如果达到，则执行步骤（d）；（d）当达到设定的外延层厚度后，停止原料气体供应，在反应室内继续通入氢气，保温后再进行降温；（e）当温度降低到400‑600℃后，进行惰性气体进行吹扫、抽真空，然后自然冷却到室温，得到偏角Si衬底SiC外延层。本申请采用偏角Si衬底进行沉积SiC，降低了SiC外延层的缺陷密度。