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公开(公告)号:CN114105646B
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202111562121.1
申请日:2021-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/575 , C04B35/577 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 原位SiC‑BN(C)‑Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法,它涉及机械合金化结合反应热压烧结技术。它要解决现有陶瓷材料制备中存在加入润滑相会导致其力学性、可靠性和抗破坏性能变差的问题。方法1:h‑BN粉、石墨、立方硅粉和Ti粉球磨制备SiBCN‑xwt%Ti粉体,热压烧结。方法2:制备NB21混合粉,加立方硅粉、h‑BN粉和石墨,得SiBCN‑xwt%NB21粉体,热压烧结炉。方法3:TiN和TiB2球磨后加立方硅粉、h‑BN粉和石墨继续球磨,得非晶/纳米晶复合粉体,热压烧结炉。采用机械合金化结合热压烧结技术,制备具有优异力学和摩擦学性能及高温抗氧化性能的陶瓷;适用于制备纳米晶复相陶瓷。
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公开(公告)号:CN114105646A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111562121.1
申请日:2021-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/575 , C04B35/577 , C04B35/573 , C04B35/622
Abstract: 原位SiC‑BN(C)‑Ti(C,N)纳米晶复相陶瓷的制备方法,它涉及机械合金化结合反应热压烧结技术。它要解决现有陶瓷材料制备中存在加入润滑相会导致其力学性、可靠性和抗破坏性能变差的问题。方法1:h‑BN粉、石墨、立方硅粉和Ti粉球磨制备SiBCN‑xwt%Ti粉体,热压烧结。方法2:制备NB21混合粉,加立方硅粉、h‑BN粉和石墨,得SiBCN‑xwt%NB21粉体,热压烧结炉。方法3:TiN和TiB2球磨后加立方硅粉、h‑BN粉和石墨继续球磨,得非晶/纳米晶复合粉体,热压烧结炉。采用机械合金化结合热压烧结技术,制备具有优异力学和摩擦学性能及高温抗氧化性能的陶瓷;适用于制备纳米晶复相陶瓷。
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