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公开(公告)号：CN118390000A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410492678.X
申请日：2024-04-23
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C23C14/22 , C04B35/48 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本申请提供一种锆酸钆镨陶瓷靶材、制备方法及其应用，所述锆酸钆镨的化学式为(Gd1‑xPrx)2Zr2O7，其中，0＜x≤0.15。采用先低温烧结、经加工后再进行二次烧结的方式，能够改善锆酸钆镨陶瓷靶材的力学性能，相比锆酸钆具有更低的热导率和更高的热膨胀系数，更低的热导率有利于提升航空发动机热障涂层的热循环性能和高温稳定性，更高的热膨胀系数有利于热障涂层与基底的匹配，提升涂层热循环寿命。
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公开(公告)号：CN113977740B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111267233.4
申请日：2021-10-28
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高振实密度高稳定性陶瓷坯体的制备方法及装置。该方法，首先将模套放入装料装置中，然后通过所述装料装置向所述模套中填料，制得模块；再将所述模块置于等静压装置中进行等静压成型，得到坯体。本发明提供的方法，通过装料装置直接将填料制成模块，避免了手动加料会造成制得的模块密度不均的问题。同时，在制模块的过程中，基于装料装置的机械振实操作，不仅可以免去人工振实的繁琐，还能进一步提高振实的效果，从而避免因粉末松装密度过低导致等静压后成型坯体的变形或收缩不一致等情况。因此，本发明提供的方法，在本领域具有较强的实用性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111900366B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010629154.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种含锂SiOx粉体的制备方法。所述含锂SiOx粉体中的x为0.9＜x＜1.1，主要成分为SiO、Si、SiO2和含锂化合物，该制备方法包括以下步骤：(1)原料的混合：将高纯Si粉和SiO2粉按一定配比称量，添加一定量的金属锂或者含锂化合物，采用球磨的方法进行混合；(2)含锂SiOx的制备：采用单源蒸发或双源蒸发化学气相沉积法制备含锂SiOx块体；(3)粉体整形：将含锂SiOx块体通过球磨或者气流破碎法进行粉体整形，得到目标含锂SiOx粉体。采用该方法制备SiOx粉体能够有效的实现SiOx材料的预锂化，并能够有效的避免SiOx材料在预锂化过程中的歧化反应。
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公开(公告)号：CN113184893B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110408169.0
申请日：2021-04-15
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种铝酸镨光学薄膜熔融材料及其制备方法和应用，属于光学薄膜材料领域。该熔融材料是基于固相熔化反应合成的单一相的铝酸镨熔融材料，具有中折射率的特点，可作为中折率材料；并且，采用本发明提供的制备方法所制备的该铝酸镨熔融材料，还具有物相单一、密度高、闭合气孔率小等特点，使得作为中折射率材料制备的光学薄膜具有光学性能稳定、膜层致密且牢固、化学稳定性好等优异的性能。同时，该铝酸镨熔融材料的制备方法，也具有工艺流程简单、周期短、成本低，环境友好等特点，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113184893A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110408169.0
申请日：2021-04-15
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种铝酸镨光学薄膜熔融材料及其制备方法和应用，属于光学薄膜材料领域。该熔融材料是基于固相熔化反应合成的单一相的铝酸镨熔融材料，具有中折射率的特点，可作为中折率材料；并且，采用本发明提供的制备方法所制备的该铝酸镨熔融材料，还具有物相单一、密度高、闭合气孔率小等特点，使得作为中折射率材料制备的光学薄膜具有光学性能稳定、膜层致密且牢固、化学稳定性好等优异的性能。同时，该铝酸镨熔融材料的制备方法，也具有工艺流程简单、周期短、成本低，环境友好等特点，适合于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111900366A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010629154.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种含锂SiOx粉体的制备方法。所述含锂SiOx粉体中的x为0.9＜x＜1.1，主要成分为SiO、Si、SiO2和含锂化合物，该制备方法包括以下步骤：(1)原料的混合：将高纯Si粉和SiO2粉按一定配比称量，添加一定量的金属锂或者含锂化合物，采用球磨的方法进行混合；(2)含锂SiOx的制备：采用单源蒸发或双源蒸发化学气相沉积法制备含锂SiOx块体；(3)粉体整形：将含锂SiOx块体通过球磨或者气流破碎法进行粉体整形，得到目标含锂SiOx粉体。采用该方法制备SiOx粉体能够有效的实现SiOx材料的预锂化，并能够有效的避免SiOx材料在预锂化过程中的歧化反应。
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公开(公告)号：CN113121224B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110408174.1
申请日：2021-04-15
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种环型高密度五氧化二钽镀膜材料的制备方法，主要包括以下步骤：(1)将五氧化二钽粉体原料装入环型模具中，采用冷等静压成型为环型坯体；(2)将得到的环型坯体机加工为环型氧化钽中间品；(3)将环型氧化钽中间品移入高温炉中进行烧结致密化，得到白色环型高密度五氧化二钽镀膜材料；(4)将白色环型高密度五氧化二钽镀膜材料在真空条件下进行高温处理，得到灰色或黑色环型高密度五氧化二钽镀膜材料。通过该制备方法制备五氧化二钽镀膜材料具有制备工艺简单，得到的五氧化二钽镀膜材料相对密度大于90％(理论密度按8.8g/cm3计算)，并且，镀膜过程稳定，避免镀膜过程中出现放气量大及喷溅等问题。
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公开(公告)号：CN113200566B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110407120.3
申请日：2021-04-15
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种预熔化的高折射率光学镀膜材料及其制备方法和应用，属于光学薄膜材料领域。该高折射率光学镀膜材料为钛酸镨，化学式为Pr5Ti5O17；并且，该钛酸镨是以TiO2、Pr6O11和Ti粉体为原料，通过固相合成反应制备得到的。采用本发明提供的制备方法所制备的该钛酸镨，在蒸发过程中保持稳定的化学组成，在预熔时可形成非常平整的蒸发表面，有利于镀膜过程的工艺控制。并且，采用本发明的钛酸镨镀制的光学膜层，在近紫外到近红外波段均有较高的透过率，同时，膜层致密、牢固，化学性质稳定，可作为优质的高折射率材料应用于光学膜系设计和批量的镀膜生产中。
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公开(公告)号：CN114292110A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210095287.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/581 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供了一种AlON粉体的制备方法、AlON粉体及其应用，所述方法包括：将纳米氧化铝粉体和碳粉按质量比称重，加入0‑10wt％的分散剂，并以无水乙醇为介质，采用球磨方法混合，得到混合粉体；利用碳热还原氮化法烧结混合粉体；再将烧结后的粉体进行行星球磨处理，处理结束后，以无水乙醇为介质，添加0‑10wt％分散剂，并采用超声进行分散处理，得到所述AlON粉体；本发明通过分步骤添加分散剂，改进了粉体的整体分散性能，制备出分散性高，且相纯度高，粒度也较小的高烧结活性的AlON粉体，将其应用于AlON透明陶瓷的制备中，能够得到性能较好的AlON透明陶瓷。
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公开(公告)号：CN111320478B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010234099.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 , 有研科技集团有限公司
IPC: C04B35/575 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种碳硅陶瓷靶材的制备方法。该制备方法包括以下步骤：(1)根据要制备的靶材的碳硅比，称量石墨粉体、单质硅粉体、SiC粉体，其中单质硅粉体占三者总量的5at％‑15at％；(2)将石墨粉体与单质硅粉体采用卧轴球磨法破碎和混合，得到碳硅预球磨粉体；(3)在碳硅预球磨粉体中添加已称量好的SiC粉体，并置于卧轴球磨罐内球磨混合2小时，得到复合原料粉体；(4)将复合原料粉体筛分后，装入石墨模具中，将模具放在热压炉中，抽真空＜500pa时充入氩气，采用前段快速升温、中段液相烧结和高温氩气保护烧结；(5)冷却得到碳硅陶瓷靶材坯料，经加工、清洗、烘干得到碳硅陶瓷靶材。本发明制备的碳硅陶瓷靶材的相对密度大于90％，硅掺杂含量误差+/‑1at％，电阻率低于0.05Ω·cm，适用于溅射制备DLC薄膜。
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