公开(公告)号：CN102315364A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110176212.1

申请日：2011-06-21

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 今井升 ,  野口雅弘 ,  伊坂文哉 ,  柴田明司 ,  芦立让 ,  铃木亚季

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2933/0033 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种特别适于小尺寸的LED芯片的LED组件、LED封装体和配线基板及其制造方法，其具有如下特征：1)虽然为单面配线基板但散热性良好、2)薄型、3)配线图案难以影响LED芯片的光的反射、4)配线图案上的镀层可以不使用镀银。所述LED组件具有至少第1面侧的波长为450nm的光的全反射率为80％以上的电绝缘材料、贯通前述电绝缘材料的导通孔、在前述电绝缘材料的第2面侧设置的配线图案、以及在前述导通孔内设置的与前述配线图案电导通的金属填充部，在前述电绝缘材料的第1面侧且前述金属填充部的表面上接合LED芯片，并对前述LED芯片进行树脂密封。

公开(公告)号：CN1271965A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00108101.2

申请日：2000-04-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  柴田真佐知 ,  今野泰一郎 ,  金田直树 ,  野口雅弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14

Abstract: 通过在P型AlGaInP夹层和P型GaP窗口层之间,插入一层带隙能量低于P型AlGaInP夹层带隙能量的插入层,可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用,所以LED的正向电压得到了降低。

公开(公告)号：CN1251334C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN00108101.2

申请日：2000-04-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  柴田真佐知 ,  今野泰一郎 ,  金田直树 ,  野口雅弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14

Abstract: 通过在P型AlGaInP夹层和P型GaP窗口层之间，插入一层带隙能量低于P型AlGaInP夹层带隙能量的插入层，可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用，所以LED的正向电压得到了降低。