公开(公告)号：CN1251334C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN00108101.2

申请日：2000-04-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  柴田真佐知 ,  今野泰一郎 ,  金田直树 ,  野口雅弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14

Abstract: 通过在P型AlGaInP夹层和P型GaP窗口层之间，插入一层带隙能量低于P型AlGaInP夹层带隙能量的插入层，可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用，所以LED的正向电压得到了降低。

公开(公告)号：CN103227191A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310027953.2

申请日：2013-01-24

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 田中丈士 ,  金田直树 ,  成田好伸

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种可以抑制电流崩塌的氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管。氮化物半导体外延晶片（200）具备SiC基板（101）、形成在SiC基板（101）上的GaN层（103）和形成在GaN层（103）上的AlGaN层（104），GaN层（103）具有纤锌矿型的晶体结构，GaN层（103）的c轴方向的晶格常数c与GaN层（103）的a轴方向的晶格常数a的比c/a为1.6266以下。

公开(公告)号：CN1271965A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00108101.2

申请日：2000-04-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  柴田真佐知 ,  今野泰一郎 ,  金田直树 ,  野口雅弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14

Abstract: 通过在P型AlGaInP夹层和P型GaP窗口层之间,插入一层带隙能量低于P型AlGaInP夹层带隙能量的插入层,可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用,所以LED的正向电压得到了降低。