公开(公告)号：CN103227191A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310027953.2

申请日：2013-01-24

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 田中丈士 ,  金田直树 ,  成田好伸

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种可以抑制电流崩塌的氮化物半导体外延晶片以及场效应型氮化物晶体管。氮化物半导体外延晶片（200）具备SiC基板（101）、形成在SiC基板（101）上的GaN层（103）和形成在GaN层（103）上的AlGaN层（104），GaN层（103）具有纤锌矿型的晶体结构，GaN层（103）的c轴方向的晶格常数c与GaN层（103）的a轴方向的晶格常数a的比c/a为1.6266以下。