公开(公告)号：CN102174713A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110064859.5

申请日：2005-04-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田真佐知

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。

公开(公告)号：CN1734247A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510064396.7

申请日：2005-04-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田真佐知

IPC: G01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III－V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III－V族氮化物系半导体层的III－V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III－V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。

公开(公告)号：CN1202557C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02120281.8

申请日：2002-05-21

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 在衬底主体的基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层，其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种，该组金属借助于热处理，促使从基层中去掉构成原子；借助于热能的提供，形成穿过所述金属层的许多小孔，并在基于氮化物的化合物半导体基层中形成很多空隙；利用在开始工序中填充所述空隙和后继的在多孔金属层上的主外延生长，以在所述金属层上形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体层。

公开(公告)号：CN1378238A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN02107886.6

申请日：2002-03-26

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 柴田真佐知 ,  黑田尚孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 在初始基片上沉积一层金属膜,初始基片可以是单晶蓝宝石基片、带有生长在蓝宝石基片上的单晶GaN膜的基片或单晶半导体基片中的任何一种。然后在金属膜上沉积一层GaN膜以形成层状基片。由于采用了以上这种结构,在生长了GaN膜之后,GaN膜可以很容易地和初始基片分开,并且,能够用简单的方式生产出来低缺陷浓度和没有被杂质严重污染的GaN晶体基片。

公开(公告)号：CN1378237A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN02108126.3

申请日：2002-03-27

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 为了提供具有低缺陷密度并且弯曲小的III族氮化物形成的半导体衬底,本发明提供的工艺包括这样的步骤:在蓝宝石衬底1的C面(0001)面)上形成GaN层2;在其上形成钛膜3;在含氢气或含氢混合气体的气体环境中热处理衬底以在GaN层2中形成空隙;然后在GaN层2’上形成GaN层4。

公开(公告)号：CN101404248B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200810100724.8

申请日：2008-05-20

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 大岛佑一 ,  柴田真佐知

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明提供一种能够提高元件的成品率的GaN自支撑衬底及GaN自支撑衬底的制造方法。本发明涉及的GaN单晶具备衬底表面和包含在衬底表面上的极性反转区，极性反转区在衬底表面上的个数密度为20cm-2以下。

公开(公告)号：CN101009350A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610151667.7

申请日：2006-09-11

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田真佐知

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了即使衬底面内存在因晶体翘曲而产生晶体取向偏差的情况下，发光波长偏差仍然很小的III－V族氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及发光波长的衬底面内均一性优良的III－V族氮化物系发光元件。本发明的III－V族氮化物系半导体衬底是由III－V族氮化物系半导体晶体构成的半导体衬底，衬底的正面保持生成态，衬底的背面研磨成平坦面，并且晶体的C轴相对于衬底的正面大致垂直或者仅以特定角度倾斜。在该III－V族氮化物系半导体衬底上形成由III－V族氮化物系半导体晶体构成的外延层，从而形成III－V族氮化物系发光元件。

公开(公告)号：CN1251334C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN00108101.2

申请日：2000-04-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  柴田真佐知 ,  今野泰一郎 ,  金田直树 ,  野口雅弘

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/025 ,  H01L33/14

Abstract: 通过在P型AlGaInP夹层和P型GaP窗口层之间，插入一层带隙能量低于P型AlGaInP夹层带隙能量的插入层，可以防止在这两层之间的异质介面上形成高势垒。该插入层起到降低正向电压的作用，所以LED的正向电压得到了降低。

公开(公告)号：CN1666319A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815842.6

申请日：2003-07-01

Applicant: 日本电气株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 碓井彰 ,  柴田真佐知 ,  大岛祐一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C23C16/01 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的III族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE－GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE－GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。

公开(公告)号：CN101009350B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200610151667.7

申请日：2006-09-11

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田真佐知

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了即使衬底面内存在因晶体翘曲而产生晶体取向偏差的情况下，发光波长偏差仍然很小的III-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及发光波长的衬底面内均一性优良的III-V族氮化物系发光元件。本发明的III-V族氮化物系半导体衬底是由III-V族氮化物系半导体晶体构成的半导体衬底，衬底的正面保持生成态，衬底的背面研磨成平坦面，并且晶体的C轴相对于衬底的正面大致垂直或者仅以特定角度倾斜。在该III-V族氮化物系半导体衬底上形成由III-V族氮化物系半导体晶体构成的外延层，从而形成III-V族氮化物系发光元件。